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组件充电模式 (Charged-Device Model, CDM)

此放电模式是指IC先因磨擦或其它因素而在IC内部累 积了静电，但在静电累积的过程中IC并未被损伤。此带有 静电的IC在处理过程中，当其pin去碰触到接地面时，IC内 部的静电便会经由pin自IC内部流出来，而造成了放电的现 象。
此种模式的放电时间更短，仅约几毫微秒之内，而且 放电现象更难以真实的被模拟。因为IC内部累积的静电会 因IC组件本身对地的等效电容而变，IC摆放的角度与位置 以及IC所用的包装型式都会造成不同的等效电容。由于具 有多项变化因素难定，因此，有关此模式放电的工业测试 标准仍在协议中，但已有此类测试机台在销售中。该组件 充电模式(CDM) ESD可能发生的原因及放电的情形显示于

图2.3-1(a)与图2.3-1(b)中。该组件充电模式静电放电的等效 电路图显示于图2.3-2(a)中。IC在名种角度摆放下的等效电 容值显示于图2.3-2(b)中，此电容值会导致不同的静电电量 累积于IC内部。 
 
 

图2.3-1(a) Charged-Device Mode静电放电可能发生的情形。
IC自IC管中滑出后，带电的IC脚接触接到地面而形成放电现象。 
 

图2.3-1(b) Charged-Device Mode静电放电可能发生的情形。
IC自IC管中滑出后，IC脚朝上，但经由接地的金属工具 而放电。 
 

图2.3-2(a) Charged-Device Model静电放电的等效电路图 
 

图2.3-2(b) IC在各种角度下的等效杂散电容值
有关2-KV HBM, 200-V MM, 与1-KV CDM的放电电流 比较，显示于图2.3-3中。其中，该1-KV CDM的放电电流 在不到1ns的时间内，便已冲到约15安培的尖峰值，但其 放电的总时段约在10ns的时间内便结束。此种放电现象更 易造成集成电路的损伤。 
 

图2.3-3人体放电模式(2-KV)，机器放电模式(200V)， 与组件充电模式(1-KV)放电电流的比较图。