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内光电效应 来源:www.elecfans.com•作者:本站• 2010-06-16 10:25 • 次阅读 • 个评论

       当光照射在物体上,使物体的电阻率ρ发生变化,或产生光生电动势的现象叫做内光电效应,它多发生于半导体内。根据工作原理的不同,内光电效应分为光电导效应和光生伏特效应两类:
    (1) 光电导效应
       在光线作用,电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态,而引起材料电导率的变化,这种现象被称为光电导效应。基于这种效应的光电器件有光敏电阻。
过程:当光照射到半导体材料上时,价带中的电子受到能量大于或等于禁带宽度的光子轰击,并使其由价带越过禁带跃入导带,如图,使材料中导带内的电子和价带内的空穴浓度增加,从而使电导率变大。

为了实现能级的跃迁,入射光的能量必须大于光电导材料的禁带宽度Eg,即

式中ν、λ分别为入射光的频率和波长。
材料的光导性能决定于禁带宽度,对于一种光电导材料,总存在一个照射光波长限λ0,只有波长小于λ0的光照射在光电导体上,才能产生电子能级间的跃进,从而使光电导体的电导率增加。

 (2) 光生伏特效应
        在光线作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象叫做光生伏特效应。
        基于该效应的光电器件有光电池和光敏二极管、三极管。
  ①势垒效应(结光电效应)。
          接触的半导体和PN结中,当光线照射其接触区域时,便引起光电动势,这就是结光电效应。以PN结为例,光线照射PN结时,设光子能量大于禁带宽度Eg,使价带中的电子跃迁到导带,而产生电子空穴对,在阻挡层内电场的作用下,被光激发的电子移向N区外侧,被光激发的空穴移向P区外侧,从而使P区带正电,N区带负电,形成光电动势。
②侧向光电效应。
        当半导体光电器件受光照不均匀时,有载流子浓度梯度将会产生侧向光电效应。当光照部分吸收入射光子的能量产生电子空穴对时,光照部分载流子浓度比未受光照部分的载流子浓度大,就出现了载流子浓度梯度,因而载流子就要扩散。如果电子迁移率比空穴大,那么空穴的扩散不明显,则电子向未被光照部分扩散,就造成光照射的部分带正电,未被光照射部分带负电,光照部分与未被光照部分产生光电动势。基于该效应的光电器件如半导体光电位置敏感器件(PSD)。


光极限探测技术在空间通信中的应用根据光电效应原理可以进行光电探测,随着人们对各类研究的不断深入,如在量子通信以及超远距离光通信研究中,由于发射端的信号源本身非常微弱或者传输链路的损耗非常大,需要在接收端对各种极微弱的光进行探测,甚至对单个光子进行极限探测。2022-03-21 09:38:09301产品|光电开关在纺织设备上的应用“光电开关具有精度高、响应速度快、非接触等优点,其工作原理基于光电效应,应用范围非常广泛。比如在疫情期间火热的口罩机生产过程中,便需要用到大量的光电传感器设备。回顾链接:光电开关在口罩生产2022-02-17 00:30:4619光电传感器和光纤传感器的区别是什么传感器:光电传感器是将光信号转换为电信号的一种器件。其工作原理基于光电效应。光电效应是指光照射在某些物质上时,物质的电子吸收光子的能量而发生了相应的电效应现象。 光纤传感器:光纤传感器是一种将被测对象的状态转变为可2021-01-15 16:59:213022热探测器和光子探测器的区别热探测器的换能过程包括热阻效应、热伏效应(珀耳帖(%1tier)效应的可逆性)、热气FAN7530MX动效应和热释电效应等。光子探测器的换能过程包括光生伏特效应、光电导效应、光电磁效应和光电子发射效应(外光电效应)等。2021-03-05 14:46:103804光电导效应与光生伏特效应的区别光生伏特效应,英文名称:Photovoltaic effect。光生伏特效应是指半导体在受到光照射时产生电动势的现象。2021-02-25 15:51:005340光电导效应名词解释_光电导效应的应用光电导效应,又称为光电效应、光敏效应,是光照变化引起半导体材料电导变化的现象。即光电导效应是光照射到某些物体上后,引起其电性能变化的一类光致电改变现象的总称。2021-02-25 15:31:3624513种光电效应,解读光电传感器核心工作原理光电传感器指采用光电元件来检测物体的有无和表面状态的变化等的传感器,一般由发送器、接收器和检测电路三部分组成,工作原理是先把被测量的变化转换成光信号的变化,再将光信号的变化转换成电信号的变化。2020-12-18 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