超级电容，又名电化学电容，双电层电容器、黄金电容、法拉电容，是从上世纪七、八十年代发展起来的通过极化电解质来储能的一种电化学元件。
它不同于传统的化学电源，是一种介于传统电容器与电池之间、具有特殊性能的电源，主要依靠双电层和氧化还原赝电容电荷储存电能。但在其储能的过程并不发生化学反应，这种储能过程是可逆的，也正因为此超级电容器可以反复充放电数十万次。 超级电容器结构上的具体细节依赖于对超级电容器的应用和使用。由于制造商或特定的应用需求，这些材料可能略有不同。所有超级电容器的共性是，他们都包含一个正极，一个负极，及这两个电极之间的隔膜，电解液填补由这两个电极和隔膜分离出来的两个的孔隙。超级电容器的结构如图所示，是由高比表面积的多孔化电极材料、多孔性电池隔膜及电解液组成。隔膜应满足具有尽可能高的离子电导和尽可能低的电子电导的条件，一般为纤维结构的电子绝缘材料，如聚丙烯膜。电解液的类型根据电极材料的性质进行选择。
根据储能机理的不同可以分为以下两类： 1、双电层电容 ：是在电极/溶液界面通过电子或离子的定向排列造成电荷的对峙而产生的。对一个电极/溶液体系，会在电子导电的电极和离子导电的电解质溶液界面上形成双电层。 当在两个电极上施加电场后，溶液中的阴、阳离子分别向正、负电极迁移，在电极表面形成双电层；撤消电场后，电极上的正负电荷与溶液中的相反电荷离子相吸引而使双电层稳定，在正负极间产生相对稳定的电位差。 这时对某一电极而言，会在一定距离内(分散层)产生与电极上的电荷等量的异性离子电荷，使其保持电中性；当将两极与外电路连通时，电极上的电荷迁移而在外电路中产生电流，溶液中的离子迁移到溶液中呈电中性，这便是双电层电容的充放电原理。 2、法拉第准电容 ：其理论模型是由Conway首先提出，是在电极表面和近表面或体相中的二维或准二维空间上，电活性物质进行欠电位沉积，发生高度可逆的化学吸脱附和氧化还原反应，产生与电极充电电位有关的电容。 对于法拉第准电容，其储存电荷的过程不仅包括双电层上的存储，而且包括电解液离子与电极活性物质发生的氧化还原反应。 当电解液中的离子(如H+、OH-、K+或Li+)在外加电场的作用下由溶液中扩散到电极/溶液界面时，会通过界面上的氧化还原反应而进入到电极表面活性氧化物的体相中，从而使得大量的电荷被存储在电极中。 放电时，这些进入氧化物中的离子又会通过以上氧化还原反应的逆反应重新返回到电解液中，同时所存储的电荷通过外电路而释放出来，这就是法拉第准电容的充放电机理。 超级电容的优点： 1、很小的体积下达到法拉级的电容量；2、无须特别的充电电路和控制放电电路；3、和电池相比过充、过放都不对其寿命构成负面影响；4、从环保的角度考虑，它是一种绿色能源；5、超级电容器可焊接，因而不存在像电池接触不牢固等问题； 超级电容的缺点： 1、如果使用不当会造成电解质泄漏等现象；2、和铝电解电容器相比，它内阻较大，因而不可以用于交流电路； 超级电容器之所以称之为“超级”的原因： 1、超级电容器可以被视为悬浮在电解质中的两个无反应活性的多孔电极板，在极板上加电，正极板吸引电解质中的负离子，负极板吸引正离子，实际上形成两个容性存储层，被分离开的正离子在负极板附近，负离子在正极板附近。 2、超级电容器在分离出的电荷中存储能量，用于存储电荷的面积越大、分离出的电荷越密集，其电容量越大。 3、传统电容器的面积是导体的平板面积，为了获得较大的容量，导体材料卷制得很长，有时用特殊的组织结构来增加它的表面积。传统电容器是用绝缘材料分离它的两极板，一般为塑料薄膜、纸等，这些材料通常要求尽可能的薄。 4、超级电容器的面积是基于多孔炭材料，该材料的多孔结构允许其面积达到2000m2/g，通过一些措施可实现更大的表面积。超级电容器电荷分离开的距离是由被吸引到带电电极的电解质离子尺寸决定的。该距离（ 5、庞大的表面积再加上非常小的电荷分离距离使得超级电容器较传统电容器而言有惊人大的静电容量，这也是其“超级”所在。 控制超级电容器的放电： 超级电容器的电阻阻碍其快速放电，超级电容器的时间常数τ在1~2s，完全给阻-容式电路放电大约需要5τ，也就是说如果短路放电大约需要5~10s（由于电极的特殊结构它们实际上得花上数个小时才能将残留的电荷完全放干净）。 放电的控制时间： 超级电容器可以快速充放电，峰值电流仅受其内阻限制，甚至短路也不是致命的。实际上决定于电容器单体大小，对于匹配负载，小单体可放10A，大单体可放1000A。另一放电率的限制条件是热，反复地以剧烈的速率放电将使电容器温度升高，最终导致断路。MOS的C-V曲线与衬底浓度以及GOX特性的关系 随着半导体制程越来越复杂，我们最关键的参数Vt的控制越来越重要，有的时候我们的Vt如果单纯是衬底浓度.... KIA半导体 发表于 07-03 10:34 • 127次
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CM1263-02SE 用于高速串行接口的低电容ESD保护阵列 IEC 61000-4-2国际标准，该瞬态电压抑制器/ ESD保护器具有0 V时0.85 pF的低I / O电容和±8 kV接触放电的系统内ESD保护。该器件采用5引脚SOT-553封装。 特性 2道ESD保护通道 典型的每通道0.85 pF负载电容 为EC61000-4-2 Level 4提供ESD保护：8kV接触放电 15kV空气排放 应用 使用高速串行接口（如MDDI，MIPI，MVI和MPL）的无线手机中的LCD和相机数据线 I / O移动手机，笔记本电脑，PDA等的端口保护。 无线手持设备，掌上电脑/ PDA，以及LCD和相机模块 电路图、引脚图和封装图... 发表于 04-18 22:24 • 182次
CM1293A ESD保护阵列 2通道和4通道 低电容 A系列二极管阵列旨在为需要最小电容负载的电子元件或子系统提供ESD保护。这些器件非常适用于保护具有高数据和时钟速率的系统或需要低电容负载的电路。每个ESD通道由一对串联的二极管组成，可将正或负ESD电流脉冲转向正（VP）或负（VN）电源轨。齐纳二极管嵌入在VP和VN之间，有助于保护VCC轨道免受ESD冲击。 CM1293A可根据IEC 61000-4-2 Level 4标准防止高达±8kV接触放电的ESD脉冲。该器件特别适用于使用高速端口保护系统，如USB2.0，IEEE1394（Firewire®，iLink™），串行ATA，DVI，HDMI以及可移动存储，数码摄像机，DVD-RW中的相应端口驱动器和其他应用中，在小封装尺寸中需要具有ESD保护的极低负载电容。 CM1293A系列器件提供符合RoHS标准的无铅精加工。 特性 两个和四个ESD保护通道，最高可达±8kV接触放电 最大负载电容为2.0pF I / O电容的通道I / O典型值为1.5pF 齐纳二极管保护电源轨并消除对外部旁路电容的需求 应用 终端产品 通用高 - 速度数据线ESD保护 数字电视，机顶盒，PC /笔记本电脑，游戏 电路图、引脚图和封装... 发表于 04-18 22:24 • 290次
CM1263-06DE 用于高速串行接口的低电容ESD保护阵列 信息该瞬态电压抑制器/ ESD保护器具有0 V时1 pF的低I / O电容，以及±8 kV接触放电的系统内ESD保护IEC 61000-4-2国际标准。 6通道ESD保护 典型每通道1pF负载电容 8kV ESD保护（IEC 61000-4-2，接触放电） 15kV ESD保护（IEC 61000-4-2，空气放电） 发表于 04-18 22:23 • 161次
CM1230 低电容ESD保护阵列 是一系列2通道，4通道和8通道，极低电容ESD保护二极管阵列，采用CSP封装。它是保护具有高数据和时钟速率的系统或需要低电容负载的电路的理想选择。每个通道由一对ESD二极管组成，这些ESD二极管用作钳位二极管，以将ESD电流脉冲引导至正或负电源轨。齐纳二极管集成在正负电源轨之间。 VCC轨道可防止ESD冲击，无需旁路电容即可吸收对地的正ESD冲击。每个通道可以安全地消除±8kV的ESD冲击，符合IEC61000-4-2国际标准的4级要求以及符合IEC61000-4-2规范的±15kV空气放电。 特性 两个，四个和八个ESD保护通道 低负载电容典型值0.8pF 通道I / O与GND电容差异典型值为0.02pF是差分信号的理想选择 随温度和电压变化的最小电容 应用 终端产品 I / O端口保护，包括USB，1394和串行ATA 使用高速串行接口的无线手机中的LCD和相机数据线。 手机，笔记本电脑，DSC，MP3播放器， PDA等 电路图、引脚图和封装图... 发表于 04-18 22:23 • 145次
CM1224 低电容ESD保护阵列 系列二极管阵列旨在为需要最小电容负载的电子元件或子系统提供ESD保护。这些器件非常适用于保护具有高数据和时钟速率的系统或需要低电容负载的电路。每个ESD通道由一对串联的二极管组成，它们将正或负ESD电流脉冲引导至正（VP）或负（VN）电源轨。齐纳二极管嵌入在VP和VN之间，具有两个优点。首先，它可以保护VCC导轨免受ESD冲击，其次，它不需要旁路电容，否则需要吸收正向ESD冲击接地。 CM1224可根据IEC 61000-4-2标准防止高达±8kV的ESD脉冲。这些设备特别适用于使用高速端口保护系统，如USB 2.0，IEEE1394（Firewire®，iLink™），串行ATA，DVI，HDMI和可移动存储中的相应端口，数码摄像机以及DVD- RW驱动器和其他需要极低负载电容和ESD保护的应用。 CM1224系列器件在小封装尺寸内具有无铅精加工。 特性 两个或四个ESD保护通道，最高8kV接触放电 通用高速数据线ESD保护 典型值为0.7pF的低通道输入电容，最小电容随温度和电压变化 典型值为0.02pF的通道输入电容匹配是差分信号的理想选择 齐纳二极管保护电源轨道并消除了对外部旁路电容的需求 终... 发表于 04-18 22:23 • 278次
CM1223 ESD保护阵列 低电容 带反向驱动保护 系列二极管阵列旨在为需要最小电容负载的电子元件或子系统提供ESD保护。这些器件非常适用于保护具有高数据和时钟速率的系统或需要低电容负载的电路。每个ESD通道由一对串联的二极管组成，它们将正或负ESD电流脉冲引导至正（VP）或负（VN）电源轨。齐纳二极管嵌入在VP和VN之间，用于吸收正ESD冲击并为VP轨提供ESD保护。集成了一个额外的二极管作为反向驱动电流保护。 CM1223可根据IEC 61000-4-2标准防止高达±8kV的ESD脉冲。此外，所有引脚都受到保护，免受大于±15kV的接触放电，如MIL-STD-883D（方法3015）人体模型（HBM）ESD规范所述。这些设备特别适用于使用高速端口保护系统，如USB2.0，IEEE1394（Firewire®，iLink™），串行ATA，DVI，HDMI和可移动存储中的相应端口，数码摄像机，DVD-RW驱动器，以及在小封装尺寸中需要极低负载电容和ESD保护的其他应用。 CM1223系列器件采用符合RoHS标准的无铅封装制造。 特性 两路，四路和八路ESD保护，集成反向驱动保护功能所有行 低通道输入电容1.0pF（典型值），电容随温度和电压变化最小 通道I / O与GND电... 发表于 04-18 22:23 • 268次
CM1216 低电容ESD阵列 信息 CM1216系列二极管阵列为需要最小电容负载的电子元件或子系统提供ESD保护。这些器件非常适用于保护具有高数据和时钟速率的系统或需要低电容负载的电路。每个ESD通道由一对串联的二极管组成，它们将正或负ESD电流脉冲引导至正（VP）或负（VN）电源轨。 CM1216可根据IEC 61000-4-2标准防止高达±15kV的ESD脉冲。 六通道和八通道ESD保护 每个通道提供±15 kV ESD保护IEC 61000-4-2 ESD要求 通道负载电容典型值为1.6 pF... 发表于 04-18 22:23 • 212次
CM1213 低电容ESD保护阵列 需要最小电容负载的电子元件或子系统。这些器件非常适用于保护具有高数据和时钟速率的系统或需要低电容负载的电路。每个ESD通道由一对串联的二极管组成，它们将正或负ESD电流脉冲引导至正（VP）或负（VN）电源轨。齐纳二极管嵌入在VP和VN之间，具有两个优点。首先，它可以保护VCC导轨免受ESD冲击，其次，它不需要旁路电容，否则需要吸收正向ESD冲击接地。根据IEC 61000-4-2标准，CM1213可防止高达±8kV的ESD脉冲。 特性 6或8通道ESD保护 通道输入电容匹配为0.02pF 典型值是差分信号的理想选择 提供SOIC和MSOP，无铅包装 应用 终端产品 通用高速数据线ESD保护，USB2.0，DVI，SATA 台式电脑，笔记本电脑，机顶盒，数字电视，液晶显示器 电路图、引脚图和封装图... 发表于 04-18 22:23 • 324次
CM1213A ESD保护阵列 低电容 1,2和4通道 A系列二极管阵列旨在为需要最小电容负载的电子元件或子系统提供ESD保护。这些器件非常适用于保护具有高数据和时钟速率的系统或需要低电容负载的电路。每个ESD通道由一对串联的二极管组成，它们将正或负ESD电流脉冲引导至正（VP）或负（VN）电源轨。齐纳二极管嵌入在VP和VN之间，具有两个优点。首先，它可以保护VCC导轨免受ESD冲击，其次，它不需要旁路电容，否则需要吸收正向ESD冲击接地。这些设备特别适用于使用高速端口保护系统，如USB 2.0，IEEE1394（Firewire®，iLink™），串行ATA，DVI，HDMI和可移动存储中的相应端口，数码摄像机，DVD-RW驱动器和其他应用中，在小封装尺寸中需要极低负载电容和ESD保护。电路图、引脚图和封装图... 发表于 04-18 22:23 • 279次
TPS736 单路输出 LDO、400mA、可调节电压（1.2 至 5.5V）、无电容、低噪声、反向电流保护 信息描述 The TPS736xx family of low-dropout (LDO) linear voltage regulators uses a new topology: an NMOS pass element in a voltage-follower configuration. This topology is stable using output capacitors with low ESR, and even allows operation without a capacitor. It also provides high reverse blockage (low reverse current) and ground pin current that is nearly constant over all values of output current. The TPS736xx uses an advanced BiCMOS process to yield high precision while delivering very low dropout voltages and low ground pin current. Current consumption, when not enabled, is under 1 µA and ideal for portable applications. The extremely low output noise (30 µVRMS with 0.1-µF CNR) is ideal for powering VCOs. These devices are protected by thermal shutdown and foldback current limit.特性Stable with No Output Capacitor or Any Value or Type of CapacitorInput Voltage Range of 1.7 V to 5.5 VUltra-Low Dropout Voltage: 75 mV... 发表于 04-18 22:20 • 404次
NCP1729 电荷泵 开关电容电压反相器 带有关断 50 mA 35 kHz 9是一款CMOS电荷泵电压逆变器，设计用于在1.15 V至5.5 V的输入电压范围内工作，输出电流能力超过50 mA。工作电流消耗仅为122μA，并提供省电关断输入，以进一步将电流降至仅0.4μA。该器件包含一个35 kHz振荡器，可驱动四个低阻MOSFET开关，产生26Ω的低输出电阻和99％的电压转换效率。该器件仅需两个外部3.3μF电容即可实现完整的逆变器，使其成为众多电池供电和板级应用的理想解决方案。 NCP1729采用节省空间的TSOP-6（SOT-23-6）封装。 特性 工作电压范围1.15 V至5.5 V 输出电流能力超过50 mA 低电流消耗122μA 省电关机输入降低电流0.4μA 35 kHz运行 低输出电阻26Ω 应用 LCD面板偏差 移动电话 寻呼机 个人数字助理 电子游戏 数码相机 可携式摄像机 手持式仪器 电路图、引脚图和封装图... 发表于 04-18 21:22 • 315次
MAX1720 电荷泵 开关电容电压反相器 带有关断 50 mA 12 kHz 0是CMOS电荷泵电压逆变器，设计用于在1.15 V至5.5 V的输入电压范围内工作，输出电流能力超过50 mA。工作电流消耗仅为67？A，并提供省电关断输入，以进一步将电流降至仅为0.4？A。该器件包含一个12 kHz振荡器，可驱动四个低阻MOSFET开关，输出电阻低至26？电压转换效率为99％。该器件仅需两个外部10？F电容即可实现完整的逆变器，使其成为众多电池供电和板级应用的理想解决方案。 特性 工作电压范围1.15 V至5.5 V 输出电流能力超过50 mA 低电流消耗67μA 节电关断输入，降低电流0.4μA 12 kHz工作 低输出电阻26 W 应用 LCD Panel Bias 移动电话 寻呼机 个人数字助理 电子游戏 数码相机 可携式摄像机 li> 手持式仪表ments 电路图、引脚图和封装图... 发表于 04-18 20:46 • 599次
LC717A10PJ 用于静电电容式触摸传感器的电容数字转换器 10PJ是一款用于静电电容式触摸传感器的高性能，低成本电容数字转换器LSI，尤其专注于可用性。它有16通道电容传感器输入。这使其成为需要许多开关的产品的理想选择。由于校准功能和ON / OFF的判断是在LSI内部自动执行的，因此可以使开发时间更短。每个输入的检测结果（ON / OFF）可以通过串行接口（I 2 C兼容总线或SPI）读出。此外，每个输入的测量值可以作为8位数字数据读出。此外，可以使用串行接口调整增益和其他参数。 特性 优势 检测系统：差分电容检测（互电容型） 高灵敏度性能 - 即使戴多层手套，气隙或厚材料 输入电容分辨率：可以检测毫微微法拉顺序中的电容变化 设计友好 - 可以直接连接到熟悉的MCU并执行独立操作 测量间隔（16个差分输入） ： 30ms（Typ）（初始配置 6ms（典型值）（最小间隔配置） 自动内置噪音和环境变化补偿功能技术 测量的外部组件：不需要 接口：I 2 C兼容总线或SPI可选。 电流消耗：570μA（典型值）（V DD = 2.8 V），1.3 mA（典型值）（V DD = 5.5 V） 供电电压：2.6 V至5.5 V 检测操作：切换 ... 发表于 04-18 20:26 • 342次
LC717A30UJ 用于静电电容式触摸传感器的电容数字转换器 30UJ是一款高性能，低成本，高可用电容转换器，适用于静电电容式触摸和接近传感器。 8个电容感应输入通道，适用于需要一系列开关的任何终端产品。 LC717A30J通过其自动校准功能和最少的外部元件简化了系统开发时间。每个传感器的检测结果（ON / OFF）由串行接口（I 2 C或SPI）读出。 特性 优势 检测系统：差分电容检测使用互电容 卓越的灵敏度性能 - 即使不仅戴多层手套，气隙或厚材料还有手势。 传感器输入焊盘：使用小到大电容传感器输入焊盘工作 由于无需补充灵敏度而降低成本。 输入电容分辨率：电容检测低至毫微微法拉水平 由于几乎不受寄生电容的影响，可以自由地实现布局。 8个传感器的测量时间为16 ms 高通过内部降噪和通信系统适应环境变化的适应性。 最小的外部组件 防止水故障的优势容忍度。 可选择的界面：I 2 C或SPI 电流消耗：0.8 mA（V DD = 5.5 V） 供电电压：2.6至5.5 V 符合AEC-Q100标准且支持PPAP 应用 终端产品 汽车 消费者 工业 计算 照明 智能钥匙，控制开关，汽车音响和接近 家用... 发表于 04-18 20:26 • 245次
LC717A10AR 用于静电电容式触摸传感器的电容数字转换器 10AR是一款用于静电电容式触摸传感器的高性能，低成本电容数字转换器LSI，尤其注重可用性。它有16通道电容传感器输入。这使其成为需要许多开关的产品的理想选择。由于校准功能和ON / OFF的判断是在LSI内部自动执行的，因此可以使开发时间更短。每个输入的检测结果（ON / OFF）可以通过串行接口（I 2 C兼容总线或SPI）读出。此外，每个输入的测量值可以作为8位数字数据读出。此外，可以使用串行接口调整增益和其他参数。 特性 优势 检测系统：差分电容检测（互电容型） 高灵敏度性能 - 即使戴多层手套，气隙或厚材料 输入电容分辨率：可以检测毫微微法拉顺序中的电容变化 设计友好 - 可以直接连接到熟悉的MCU并执行独立操作 测量间隔（16个差分输入） ： 30ms（典型值）（初始配置时）， 6ms（典型值）（最小间隔配置） 自动内置噪音和环境变化补偿功能技术 用于测量的外部组件：不需要 接口：I 2 C兼容总线或SPI可选。 电流消耗：570μA（典型值）（V DD = 2.8 V），1.3 mA（典型值）（V DD = 5.5 V） 供电电压：2.6 V至5.5 V 检测操... 发表于 04-18 20:26 • 293次
LC717A00AR 用于静电电容式触摸传感器的电容数字转换器 00AR是一款用于静电电容式触摸传感器的高性能，低成本电容数字转换器LSI，尤其专注于可用性。它有8通道电容传感器输入。内置逻辑电路可以检测每个输入的状态（ON / OFF）并输出结果。这使其成为各种开关应用的理想选择。在电源激活期间或环境发生变化时，内置逻辑电路会自动执行校准功能。此外，由于配置了参数的初始设置（例如增益），因此当应用推荐的开关模式时，LC717A00AR可以独立运行。此外，由于LC717A00AR具有与I 2 C和SPI总线兼容的串行接口，因此可以根据需要使用外部设备调整参数。此外，8输入电容数据的输出可以作为8位数据被检测和测量。 特性 优势 检测系统：差分电容检测（互电容型） 高灵敏度性能 - 即使戴多层手套，气隙或厚材料 输入电容分辨率：可以检测毫微微法拉顺序中的电容变化 设计友好 - 可以直接连接到熟悉的MCU并执行独立操作 测量间隔（8个差分输入）： 18ms（典型值）（初始配置时），3ms（典型值）（最小间隔配置） 自动内置噪音和环境ch ange补偿功能技术 用于测量的外部组件：不需要 电流消耗：320μA（典型值）（V DD = 2.8 V），740μA（... 发表于 04-18 20:26 • 400次
LC717A10AJ 用于静电电容式触摸传感器的电容数字转换器 10AJ是一款用于静电电容式触摸传感器的高性能，低成本电容数字转换器LSI，尤其专注于可用性。它有16通道电容传感器输入。这使其成为需要许多开关的产品的理想选择。由于校准功能和ON / OFF的判断是在LSI内部自动执行的，因此可以使开发时间更短。每个输入的检测结果（ON / OFF）可以通过串行接口（I 2 C兼容总线或SPI）读出。此外，每个输入的测量值可以作为8位数字数据读出。此外，可以使用串行接口调整增益和其他参数。 特性 优势 检测系统：差分电容检测（互电容型） 高灵敏度性能 - 即使戴多层手套，气隙或厚材料 输入电容分辨率：可以检测毫微微法拉顺序中的电容变化 设计友好 - 可以直接连接到熟悉的MCU并执行独立操作 测量间隔（16个差分输入） ： 30ms（典型值）（初始配置时）， 6ms（典型值）（最小间隔配置） 自动内置噪音和环境变化补偿功能技术 用于测量的外部组件：不需要 接口：I 2 C兼容总线或SPI可选。 电流消耗：570μA（典型值）（V DD = 2.8 V），1.3 mA（典型值）（V DD = 5.5 V） 供电电压：2.6 V至5.5 V 检测... 发表于 04-18 20:26 • 460次
LC717A00AJ 用于静电电容式触摸传感器的电容数字转换器 00AJ是一款用于静电电容式触摸传感器的高性能，低成本电容数字转换器LSI，尤其专注于可用性。它有8通道电容传感器输入。内置逻辑电路可以检测每个输入的状态（ON / OFF）并输出结果。这使其成为各种开关应用的理想选择。在电源激活期间或环境发生变化时，内置逻辑电路会自动执行校准功能。此外，由于配置了参数的初始设置（如增益），因此在应用推荐的开关模式时，LC717A00AJ可以独立运行。此外，由于LC717A00AJ具有与I 2 C和SPI总线兼容的串行接口，因此可以在必要时使用外部器件调整参数。此外，8输入电容数据的输出可以作为8位数据被检测和测量。 特性 优势 检测系统：差分电容检测（互电容型） 高灵敏度性能 - 即使戴多层手套，气隙或厚材料 输入电容分辨率：可以检测毫微微法拉顺序中的电容变化 设计友好 - 可以直接连接到熟悉的MCU并执行独立操作 测量间隔（8个差分输入）： 18ms（典型值）（初始配置时），3ms（典型值）（最小间隔配置） 自动内置噪音和环境ch ange补偿功能技术 用于测量的外部组件：不需要 电流消耗：320μA（典型值）（V DD = 2.8 V），740μA（典... 发表于 04-18 20:26 • 417次
TPD2E001-NM 用于高速数据接口的低电容2通道+/- 15kV ESD保护阵列 信息描述 The TPD2E001 is a two-channel Transient Voltage Suppressor (TVS) based Electrostatic Discharge (ESD) protection diode array. The TPD2E001 is rated to dissipate ESD strikes at the maximum level specified in the IEC 61000-4-2 Level 4 international standard.The DRS package (3.00 mm × 3.00 mm) is also available as a non-magnetic package for medical imaging applications.See also TPD2E2U06DRLR which is p2p compatible to TPD2E001DRLR and offers higher IEC ESD Protection, lower clamping voltage, and eliminates the input capacitor requirement.特性IEC 61000-4-2 ESD Protection (Level 4) ±8-kV Contact Discharge ±15-kV Air-Gap Discharge IO Capacitance: 1.5 pF (Typ) Low Leakage Current: 1 nA (Maximum) Low Supply Current: 1 nA 0.9 V to 5.5 V Supply-Voltage Range Space-Saving DRL, DRY, and QFN Package Options Alternate 3, 4, 6-Channel options Available: TPD3E001, TPD4E001,... 发表于 04-18 20:04 • 301次
LA5797MC 用于可变电容二极管的电荷泵升压电源 信息 LA5797MC是可变电容二极管的电荷泵升压电源。 使用电荷泵，无需线圈。 合并了时基发生器（140kHz）。 内置热关断电路。 发表于 04-18 19:04 • 201次