Hi，大家好。欢迎来到我们【半导体概念科普】系列文章，本系列会针对半导体重要且基础的概念做一些科普，辅助一些技术报告/文章的阅读和理解。
集成电路按照所使用的半导体材料，分为硅IC和化合物IC两大类，硅IC可以分为MOS型和双极结型晶体管，两者都既可以用自由电子位载流子，又可以用空穴为载流子。MOS中有不同的类型，如以电子（负：negative）为载流子的“nMOS”，以空穴（正：positive）为载流子的“pMOS”,还有以双方组合（complementary）而成的“互补金属氧化物半导体晶体管（CMOS）” 今天我们围绕MOS这个概念展开，讲一讲MOS的概念、工作原理、分类以及相关应用。 一、什么是MOSFET？ MOS的英文全称就是MOSFET,其中后缀FET是场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写，FET是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。 FET是具有源极（S），栅极（G），漏极（D）和主体（B）端子的四端子设备。FET通过向栅极施加电压来控制电流，从而改变漏极和源极之间的电导率。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。也就是说，FET在其操作中使用电子或空穴作为电荷载流子，但不能同时使用两者。 场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。 MOSFET的中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。 MOSFET由Mohamed M. Atalla和Dawon Kahng于1959年在贝尔实验室发明，并于1960年6月首次推出。它是现代电子学的基本组成部分，也是历史上最常用的器件，自1960年代以来，MOSFET的缩小和小型化一直在推动电子半导体技术的快速发展，并实现了诸如存储芯片和微处理器之类的高密度IC。MOSFET被认为是电子行业的“主力军”。 二、MOSFET的结构 通常，MOSFET的主体B与源极S端子相连，因此形成了一个三端设备，一般结构如下： 上图是原理性的，原理上源极和漏极确实是对称且不区分的。但在实际应用中，厂家一般在源极和漏极之间连接一个二极管，起保护作用，正是这个二极管决定了源极和漏极，这样，封装也就固定了，便于实用。 根据上述MOSFET结构，MOSFET的功能取决于沟道宽度中发生的电气变化以及载流子（空穴或电子）的流动。电荷载流子通过源极端子进入通道，并通过漏极离开。 沟道的宽度由称为栅极的电极上的电压控制，该电极位于源极和漏极之间。它与极薄的金属氧化物层附近的通道绝缘。 带有端子的MOSFET 相关概念解释 1：P or N “P”表示正电的意思，取自英文Positive的第一个字母。在这类半导体中，参与导电的 (即电荷载体) 主要是带正电的空穴，这些空穴来自半导体中的受主。 “N”表示负电的意思，取自英文Negative的第一个字母。在这类半导体中，参与导电的 (即导电载体) 主要是带负电的电子，这些电子来自半导体中的施主。 掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料，掺杂Ⅴ族元素(磷、砷、锑等)，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时，可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子，这就形成了半导体中导带电子浓度的增加，该类杂质原子称为施主。 2：金属氧化膜 图中有指示，这个膜是绝缘的，用来电气隔离，使得栅极只能形成电场，不能通过直流电，因此是用电压控制的。在直流电气上，栅极和源漏极是断路。这个膜越薄，电场作用越好、坎压越小、相同栅极电压时导通能力越强。坏处是：越容易击穿、工艺制作难度越大而价格越贵。3：沟道 中间一个窄长条就是沟道，使得左右两块极连在一起，因此mos管导通后是电阻特性，因此它的一个重要参数就是导通电阻，选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。 三、MOSFET的工作原理及分类 Youtube 关于MOSFET的学习视频 MOS管的工作原理以增强型 MOS 管为例，我们先简单来看下 MOS 管的工作原理。 由结构我们可以看到 MOS 管类似三极管，也是背靠背的两个PN结！三极管的原理是在偏置的情况下注入电流到很薄的基区通过电子-空穴复合来控制电子之间的导通，MOS 管则利用电场来在栅极形成载流子沟道来沟通DS之间。 如上图，在开启电压不足时，N区和衬底P之间因为载流子的自然复合会形成一个中性的耗尽区。给栅极提供正向电压后，P区的少子（电子）会在电场的作用下聚集到栅极氧化硅下，最后会形成一个以电子为多子的区域，叫反型层，称为反型因为是在P型衬底区形成了一个N型沟道区。这样DS之间就导通了。 MOS管的分类 MOSFET可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。 ▲MOSFET种类与电路符号
对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。 概念1：MOSFET耗尽型和增强型的区别： 耗尽模式 当栅极端子两端没有电压时，通道将显示其最大电导。而当栅极端子两端的电压为正或负时，则沟道电导率会降低。 增强模式 当栅极端子两端没有电压时，该器件将不导通。当栅极端子两端的电压最大时，该器件将显示出增强的导电性。 相对于耗尽型，增强型是通过“加厚”导电沟道的厚度来导通，如图，栅极电压越低，则p型源、漏极的正离子就越靠近中间，n衬底的负离子就越远离栅极，栅极电压达到一个值，叫阀值或坎压时，由p型游离出来的正离子连在一起，形成通道，就是图示效果。 因此，容易理解，栅极电压必须低到一定程度才能导通，电压越低，通道越厚，导通电阻越小。由于电场的强度与距离平方成正比，因此，电场强到一定程度之后，电压下降引起的沟道加厚就不明显了，也是因为n型负离子的“退让”是越来越难的。耗尽型的是事先做出一个导通层，用栅极来加厚或者减薄来控制源漏的导通。但这种管子一般不生产，在市面基本见不到。所以，大家平时说mos管，就默认是增强型的。概念2：P沟道MOSFET和N沟道MOSFET的区别： P沟道MOSFET P沟道MOSFET具有位于源极端子和漏极端子之间的P沟道区域。它是一个四端子设备，其端子分别为栅极，漏极，源极和主体。漏极和源极是重掺杂的p +区，主体或衬底为n型。电流流向带正电的空穴的方向。 当我们在栅极端施加具有排斥力的负电压时，存在于氧化层下方的电子将被向下推入基板。耗尽区由与施主原子相关的结合正电荷构成。负栅极电压还会将空穴从p +源极和漏极区吸引到沟道区中。 耗尽模式P通道 P通道增强模式 N沟道MOSFET N沟道MOSFET具有位于源极和漏极端子之间的N沟道区域。它是一个四端子设备，其端子分别为栅极，漏极，源极，主体。在这种场效应晶体管中，漏极和源极是重掺杂的n +区域，衬底或主体是P型的。 由于带负电的电子，在这种类型的MOSFET中发生电流流动。当我们在栅极端子上施加具有排斥力的正电压时，则存在于氧化层下方的空穴将被向下推入基板。耗尽区由与受体原子相关的结合负电荷构成。 在电子到达时，形成通道。正电压还将电子从n +源极和漏极区吸引到沟道中。现在，如果在漏极和源极之间施加电压，电流将在源极和漏极之间自由流动，而栅极电压控制着沟道中的电子。如果我们施加负电压，则将在氧化层下方形成一个空穴通道，而不是正电压。 增强模式N通道 MOS管导通特性 导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 NMOS的特性，Vgs(电压)大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs（电压）小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。 但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。 不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。 MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。 四、MOSFET的工作区定义 MOSFET工作区 在最一般的情况下，MOSFET设备操作主要发生在三个区域，这些区域如下： 截止区域–这是设备将处于关闭状态且零电流流过的区域。在此，该设备用作基本开关，并在需要用作电气开关时使用。 饱和区域–在该区域中，器件的漏极至源极电流值将保持恒定，而无需考虑漏极至源极两端的电压升高。当漏极到源极端子之间的电压增加超过夹断电压值时，只会发生一次。在这种情况下，该设备用作闭合开关，流过漏极到源极端子的电流达到饱和水平。因此，当设备应该进行切换时，选择饱和区域。 线性/欧姆区域–该区域是漏极至源极两端的电流随漏极至源极路径两端电压的增加而增强的区域。MOSFET器件在此线性区域中起作用时，它们将执行放大器功能。 具体如下： Vgs 对MOS 管的开启作用，一定范围内 Vgs>Vth，VdsVth，VdsVgs-Vth 后，我们可以看到因为DS之间的电场开始导致右侧的沟道变窄，电阻变大。所以电流Id增加开始变缓慢。当Vds增大一定程度后，右沟道被完全夹断了！ 此时DS之间的电压都分布在靠近D端的夹断耗尽区，夹断区的增大即沟道宽度W减小导致的电阻增大抵消了Vds对Id的正向作用，因此导致电流Id几乎不再随Vds增加而变化。此时的D端载流子是在强电场的作用下扫过耗尽区达到S端！ 这个区域为 MOS 管的恒流区，也叫饱和区，放大区。但是因为有沟道调制效应导致沟道长度 L 有变化，所以曲线稍微上翘一点。 重点备注：MOS 管与三极管的工作区定义差别 三极管的饱和区：输出电流 Ic 不随输入电流 Ib 变化。 MOS 管的饱和区：输出电流 Id 不随输出电压 Vds 变化。 以上是关于MOSFET的基本概念科普，关于它的应用也有很多知识点，因为篇幅原因，我们随后再出续集介绍。 相关资料 【免责声明】文章为作者独立观点，不代表旺材芯片立场。如因作品内容、版权等存在问题，请于本文刊发30日内联系旺材芯片进行删除或洽谈版权使用事宜。 责任编辑：PSY 原文标题：半导体概念科普——MOSFET是什么：工作原理及其应用 文章出处：【微信公众号：旺材芯片】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
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ST-MOSFET-FINDER ST-MOSFET-FINDERSTPOWER MOSFET取景移动应用程序的平板电脑和智能手机 或产品号的产品搜索能力 技术数据表和离线咨询 访问主要产品规格（主要电气参数，产品一般说明，主要特点和市场地位） 对产品和数据表 能够通过社交媒体或通过电子邮件共享技术文档 适用于Android收藏节™和iOS™应用商店 ST-MOSFET-Finder是可用于Android™和iOS™的应用程序，它可以让你探索的ST功率MOSFET产品组合使用便携设备。您可以轻松地定义设备最适合使用参数搜索引擎应用程序。您还可以找到你的产品由于采用了高效的零件号的搜索引擎。... 发表于 05-20 17:05 • 327次
STEVAL-POE006V1 STEVAL-POE006V13.3V / 20A 有源钳位正激转换器 以太网供电（PoE）的IEEE 802.3bt标准的参考设计 805的PoE-PD接口的 特点： 系统在封装中集成一个双活性桥，热插拔MOSFET和PoE的PD 支持传统高功率，4对应用 100伏与0.2Ω总路径电阻N沟道MOSFET，以每个有源桥 标识哪些种PSE（标准或传统）它被连接到，并提供成功的符合IEEE 802.3af / AT / BT分类指示为T0，T1和T2信号的组合（漏极开路） 通过STBY，仿和RAUX控制信号智能操作模式选择的PM8804 PWM控制器的 QFN 56 8x8mm封装43个管脚和6个露出垫 特点： PWM峰值电流模式控制器 输入操作电压高达75伏 内部高电压启动调节器与20毫安能力 可编程固定频率高达1MHz 可设置的时间 软关闭（任选地禁用） 双1A PK ，低侧互补栅极驱动器 GATE2可以被关闭以降低功耗 80 ％的最大占空比与内部斜率补偿 QFN 16 3x3mm的封装，带有裸垫 此参考设计表示3.3 V，20 A转换器解决方案非常适合各种应用，包括无线接入点，具有的PoE-PD接口和一个DC-DC有源钳位正激变换器提供。... 发表于 05-20 12:05 • 167次
STEVAL-ISA165V1 用于与STP120N4F6 LLC谐振转换器SRK2001自适应同步整流控制器 LLC谐振变换器的同步整流器，具有自适应的导通和关断 V CC 范围：4.5 V至32 V 最大频率：500kHz的 对于N沟道MOSFET双栅驱动器（STRD级驱动程序） SR MOSFET类型：STP120N4F6（40 N - 4.3MΩ）TO -220 符合RoHS 在STEVAL-ISA165V1是产品评估电路板，旨在演示SRK2001同步整流控制器的性能。所述SRK2001器具的控制方案特异于在使用的变压器与绕组的全波整流中间抽头次级LLC谐振转换器的次级侧同步整流。它提供了两个高电流栅极驱动输出（用于驱动N沟道功率MOSFET）。每个栅极驱动器被单独地控制和联锁逻辑电路防止两个同步整流器（SR）MOSFET同时导通。装置的操作是基于两者的导通和关断的同步整流MOSFET的自适应算法。在快速的负载转变或上述谐振操作期间，另外的关断机构设置的基础上，比较器ZCD_OFF触发非常快的MOSFET关断栅极驱动电路。该板包括两个SR的MOSFET（在一个TO-220封装），并且可以在一个现有的转换器，作为整流二极管的替代很容易地实现。... 发表于 05-20 12:05 • 176次
STEVAL-IPMM15B STEVAL-IPMM15B基于STIB1560DM2T-L SLLIMM第二系列MOSFET IPM 1500W的电机控制电源板 电压：125 - 400 VDC 额定功率：高达1500W的 允许的最大功率是关系到应用条件和冷却系统 额定电流：最多6 A 均方根 输入辅助电压：高达20 V DC 单或用于电流检测的三分流电阻（与感测网络） 电流检测两个选项：专用的运算放大器或通过MCU 过电流保护硬件 IPM的温度监测和保护 在STEVAL-IPMM15B是配备有SLLIMM（小低损耗智能模制模块）第二串联模块的小型电动机驱动电源板第二系列n沟道超结的MDmesh™DM2快速恢复二极管（STIB1560DM2T-L）。它提供了一种用于驱动高功率电机，用于宽范围的应用，如白色家电，空调机，压缩机，电动风扇，高端电动工具，并且通常为电机驱动器3相逆变器的负担得起的，易于使用的解决方案。... 发表于 05-20 10:05 • 242次
NCP81143 VR多相控制器 43多相降压解决方案针对具有用户可配置3/2/1相位的Intel VR12.5兼容CPU进行了优化。该控制器结合了真正的差分电压检测，差分电感DCR电流检测，输入电压前馈和自适应电压定位，为台式机和笔记本电脑应用提供精确调节的电源。该控制系统基于双边沿脉冲宽度调制（PWM）与DCR电流检测相结合，以降低的系统成本提供对动态负载事件的最快初始响应。它具有在轻负载运行期间脱落到单相的能力，并且可以在轻负载条件下自动调频，同时保持优异的瞬态性能。 NCP81143提供两个内部MOSFET驱动器，带有一个外部PWM信号。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。获得专利的动态参考注入无需在闭环瞬态响应和动态VID性能之间进行折衷，从而进一步简化了环路补偿。获得专利的总电流求和提供高精度的数字电流监控。 应用 终端产品 基于工业CPU的应用程序 信息娱乐，移动，自动化，医疗和安全 电路图、引脚图和封装图... 发表于 08-09 11:36 • 661次
NCV898031 非同步SEPIC /升压控制器 2 MHz 031是一款可调输出非同步2 MHz SEPIC / boost控制器，用于驱动外部N沟道MOSFET。该器件采用峰值电流模式控制和内部斜率补偿。该IC集成了一个内部稳压器，为栅极驱动器提供电荷。 保护功能包括内部设置软启动，欠压锁定，逐周期电流限制和热关断。 其他功能包括低静态电流睡眠模式和微处理器兼容使能引脚。 特性 优势 具有内部斜率补偿的峰值电流模式控制 宽输入电压和负载范围内的良好瞬态响应 1.2 V 2％参考电压 准确的电压调节 2 MHz固定频率操作 卓越的瞬态响应，较小尺寸的滤波元件，基频高于AM频段 宽输入电压范围3.2 V至40 V，45 V负载转储 适用于各种应用 输入Und ervoltage Lockout（UVLO） 禁用欠压条件下的启动 内部软启动 减少启动期间的浪涌电流 睡眠模式下的低静态电流 非常低的关闭状态电流消耗 逐周期电流限制保护 防止过电流情况 打嗝模式短路保护（SCP） 防止短路故障 热关断（TSD） 热保护IC 应用 终端产品 启动 - 停止系统 SEPIC（非反相降压 - 升压），升压，反激... 发表于 07-29 19:02 • 544次
NCV8851-1 汽车平均电流模式控制器 1-1是一款可调输出，同步降压控制器，可驱动双N沟道MOSFET，是大功率应用的理想选择。平均电流模式控制用于在宽输入电压和输出负载范围内实现非常快速的瞬态响应和严格调节。该IC集成了一个内部固定的6.0 V低压差线性稳压器（LDO），为开关模式电源（SMPS）底栅驱动器提供电荷，从而限制了过多栅极驱动的功率损耗。该IC设计用于在宽输入电压范围（4.5 V至40 V）下工作，并且能够在500 kHz下进行10至1次电压转换。其他控制器功能包括欠压锁定，内部软启动，低静态电流睡眠模式，可编程频率，SYNC功能，平均电流限制，逐周期过流保护和热关断。 特性 优势 平均电流模式控制 快速瞬态响应和简单的补偿器设计 0.8 V 2％参考电压 可编程输出电压的严格公差 4.5 V至40 V的宽输入电压范围 允许通过负载突降情况直接调节汽车电池 6.0 V低压差线性稳压器（LDO） 耗材栅极驱动器的内部电源 输入UVLO（欠压锁定） 在欠压条件下禁用启动 内部软启动 降低浪涌电流并避免启动时输出过冲 睡眠模式下1.0μA的最大静态电流 睡眠电流极低 自适应非重叠... 发表于 07-29 19:02 • 651次
LV5725JA 降压转换器 DC-DC 1通道 JA是一个降压电压开关稳压器。 特性 优势 宽输入动态范围：4.5V至50V 可在任何地方使用 内置过流逐脉冲保护电路，通过外部MOSFET的导通电阻检测，以及HICCUP方法的过流保护 烧伤保护 热关闭 热保护 负载独立软启动电路 控制冲击电流 外部信号的同步操作 它可以改善发生两个稳压器IC之间的振荡器时钟节拍 电源正常功能 稳定性操作 外部电压为输出电压高时可用 应用 降压方式开关稳压器 电路图、引脚图和封装图... 发表于 07-29 19:02 • 398次
FSEZ1317WA 集成了功率MOSFET的初级侧调节PWM 代初级侧调节（PSR）和高度集成的PWM控制器提供多种功能，以增强低功耗反激式转换器的性能。 FSEZ1317WA的专有拓扑结构TRUECURRENT®可实现精确的CC调节，并简化电池充电器应用的电路设计。与传统设计或线性变压器相比，可以实现低成本，更小，更轻的充电器。为了最大限度地降低待机功耗，专有绿色模式提供关断时间调制，以在轻载时线性降低PWM频率条件。绿色模式有助于电源满足节能要求。 通过使用FSEZ1317WA，可以用很少的外部元件实现充电器并降低成本。 特性 30mW以下的低待机功率 高压启动 最少的外部元件计数 恒压（CV）和恒流（CC）控制无二次反馈电路 绿色模式：线性降低PWM频率 固定频率为50kHz的PWM频率以解决EMI问题 CV模式下的电缆补偿 CV中的峰值电流模式控制模式 逐周期电流限制 V DD 使用Auto Restar进行过压保护t V DD 欠压锁定（UVLO） 栅极输出最大电压钳位在15V 自动重启固定过温保护 7导联SOP 应用 电子书阅读器 外部AC-DC商用电源 - 便携消费型 外部AC-D... 发表于 07-29 19:02 • 468次
FSEZ1016A 带有集成式MOSFET的初级端调节PWM控制器 度集成的PWM控制器具备多种功能，可增强低功率反激转换器的性能.FSEZ1016A专有的拓扑简化了电路设计，特别是电池充电器应用中的电路设计。与传统设计或线性变压器相比，它成本更低，尺寸更小，具有更轻的充电器。启动电流仅为10μA，允许使用大启动电阻以实现进一步的节能。为了最大限度地降低待机功耗，专有绿色模式提供了关断时间调制，以在轻载条件下线性降低PWM频率。绿色模式有助于电源达到节电要求。通过使用FSEZ1016A，充电器可以用极少的外部元件和最低的成本来完成.FSEZ1016A系列控制器提供7引脚SOIC封装。 特性 恒压（CV）和恒流（CC）控制（ 通过飞兆专有的TRUECURRENT™技术实现精准恒定电流 绿色模式功能：线性降低PWM频率 42 kHz的固定PWM频率（采用跳频来解决电磁干扰问题） 恒压模式下的电缆补偿 低启动电流：10μA 低工作电流：3.5 mA 恒压模式下的峰值电流模式控制 逐周期限流 V DD 过压保护（带自动重启） V DD 欠压锁定（UVLO） 带闩锁的固定过温保护（OTP） 采用SOIC-7封装 应用 ... 发表于 07-29 19:02 • 1724次
NCP81231 降压控制器 USB供电和C型应用 31 USB供电（PD）控制器是一款针对USB-PD C型解决方案进行了优化的同步降压控制器。它们是扩展坞，车载充电器，台式机和显示器应用的理想选择。 NCP81231采用I2C接口，可与uC连接，以满足USB-PD时序，压摆率和电压要求。 NCP81231工作在4.5V至28V 特性 优势 I2C可配置性 允许电压曲线，转换速率控制，定时等 带驱动程序的同步降压控制器 提高效率和使用标准mosfet 符合USB-PD规范 支持usb-pd个人资料 过压和过流保护 应用 终端产品 USB Type C 网络配件 消费者 停靠站 车载充电器s 网络中心 桌面 电路图、引脚图和封装图... 发表于 07-29 19:02 • 611次
NCP81239 4开关降压 - 升压控制器 USB供电和C型应用 39 USB供电（PD）控制器是一种同步降压升压，经过优化，可将电池电压或适配器电压转换为笔记本电脑，平板电脑和台式机系统以及使用USB的许多其他消费类设备所需的电源轨PD标准和C型电缆。与USB PD或C型接口控制器配合使用时，NCP81239完全符合USB供电规范。 NCP81239专为需要动态控制压摆率限制输出电压的应用而设计，要求电压高于或低于输入电压。 NCP81239驱动4个NMOSFET开关，允许其降压或升压，并支持USB供电规范中指定的消费者和供应商角色交换功能，该功能适用于所有USB PD应用。 USB PD降压升压控制器的工作电源和负载范围为4.5 V至28 V. 特性 优势 4.5 V至28 V工作范围 各种应用的广泛操作范围 I2C接口 允许uC与设备连接以满足USB-PD电源要求 将频率从150 kHz切换到1200 kHz 优化效率和规模权衡 过渡期间的压摆率控制 允许轻松实施USB-PD规范 支持USB-PD，QC2.0和QC3.0配置文件 过电压和过流保护 应用 终端产品 消费者 计算 销售点 USB Type-C USB PD 桌面 集线器 扩展... 发表于 07-29 19:02 • 823次
ADP3211 同步降压控制器 7位 可编程 单相 1是一款高效的单相同步降压开关稳压控制器。凭借其集成驱动器，ADP3211经过优化，可将笔记本电池电压转换为高性能英特尔芯片组所需的电源电压。内部7位DAC用于直接从芯片组或CPU读取VID代码，并将GMCH渲染电压或CPU核心电压设置为0 V至1.5 V范围内的值。 特性 优势 单芯片解决方案。完全兼容英特尔®IMVP-6.5 CPU和GMCH芯片组电压调节器规格集成MOSFET驱动器。 提高效率。 输入电压范围为3.3V至22V。 提高效率。 最差±7mV -case差分感应核心电压误差超温。 提高效率。 自动节电模式可在轻负载运行期间最大限度地提高效率。 提高效率。 软瞬态控制可降低浪涌电流和音频噪声。 当前和音频缩减。 独立电流限制和负载线设置输入，以增加设计灵活性。 改进设计灵活性ity。 内置电源良好屏蔽支持电压识别（VID）OTF瞬变。 提高效率。 具有0V至1.5V输出的7位数字可编程DAC。 提高效率。 短路保护。 改进保护。 当前监听输出信号。 提高效率。 这是一款无铅设备。完全符合RoHS标准和32引... 发表于 07-29 19:02 • 638次
NCP81149 具有SVID接口的单相电压调节器 适用于计算应用 49是一款单相同步降压稳压器，集成了功率MOSFET，可为新一代计算CPU提供高效，紧凑的电源管理解决方案。该器件能够在带SVID接口的可调输出上提供高达14A TDC的输出电流。在高达1.2MHz的高开关频率下工作，允许采用小尺寸电感器和电容器，同时由于采用高性能功率MOSFET的集成解决方案而保持高效率。具有来自输入电源和输出电压的前馈的电流模式RPM控制确保在宽操作条件下的稳定操作。 NCP81149采用QFN48 6x6mm封装。 特性 优势 4.5V至25V输入电压范围 针对超极本和笔记本应用进行了优化 支持11.5W和15W ULT平台 符合英特尔VR12.6和VR12.6 +规格 使用SVID接口调节输出电压 可编程DVID Feed - 支持快速DVID的前进 集成栅极驱动器和功率MOSFET 小外形设计 500kHz~1.2MHz开关频率 降低输出滤波器尺寸和成本 Feedforward Ope输入电源电压和输出电压的比例 快线瞬态响应和DVID转换 过流，过压/欠压和热保护 防止故障 应用 终端产品 工业应用 超极本应用程序 笔记本应用程序 集成POL U... 发表于 07-29 19:02 • 415次
NCP81141 Vr12.6单相控制器 41单相降压解决方案针对Intel VR12.6兼容CPU进行了优化。该控制器结合了真正的差分电压检测，差分电感DCR电流检测，输入电压前馈和自适应电压定位，为台式机和笔记本电脑应用提供精确调节的电源。单相控制器采用DCR电流检测，以降低的系统成本提供对动态负载事件的最快初始响应.NCP81141集成了内部MOSFET驱动器，可提高系统效率。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。获得专利的动态参考注入无需在闭环瞬态响应和动态VID性能之间进行折衷，从而进一步简化了环路补偿。获得专利的总电流求和提供高精度的数字电流监控。 应用 终端产品 基于工业CPU的应用程序 信息娱乐，移动，自动化，医疗和安全 电路图、引脚图和封装图... 发表于 07-29 18:02 • 792次
NCP81147 低压同步降压控制器 47是一款单相解决方案，具有差分相电流检测，同步输入，远程接地节能操作和栅极驱动器，可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器，笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP81147还具有软启动序列，精确的过压和过流保护，用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 优势 内部高性能运算放大器 简化系统补偿 集成MOSFET驱动器 节省空间并简化设计 热关机保护 确保稳健的设计 过压和过流保护 确保稳健设计 省电模式 在轻载操作期间最大限度地提高效率 支持5.0 V至19 V输入 5.0 V至12 V操作 芯片使能功能通过OSC引脚 保证启动进入预充电负载 内部软启动/停止 振荡器频率范围为100 kHz至1000 kHz OCP准确度，锁定前的四次重入时间 无损耗差分电感电流检测 内部高精度电流感应放大器 20ns内部栅极驱动器的自适应FET非重叠时间 Vout从0.8V到3.3 V（5V，12V VCC） 热能补偿电流监测 ... 发表于 07-29 18:02 • 690次
NCP5230 低压同步降压控制器 0是一款单相解决方案，具有差分相电流检测，同步输入，远程接地节能操作和栅极驱动器，可提供精确调节的电源。自适应非重叠栅极驱动和省电操作电路为服务器，笔记本和台式机系统提供低开关损耗和高效率解决方案。提供高性能操作误差放大器以简化系统的补偿。 NCP5230还具有软启动序列，精确的过压和过流保护，用于电源轨的UVLO和热关断。 特性 高性能误差放大器 >内部软启动/停止 0.5％内部电压精度，0.8 V基准电压 OCP精度，锁存前四次重入时间无损差分电感电流检测内部高精度电流检测放大器振荡器频率范围100 kHz 1000 kHz 20 ns自适应FET内部栅极驱动器非重叠时间 5.0 V至12 V操作支持1.5 V至19 V Vin Vout 0.8 V至3.3 V（具有12 VCC的5 V电压）通过OSC引脚实现芯片功能锁存过压保护（OVP）内部固定OCP阈值保证启动预充电负载 热补偿电流监控 Shutdow n保护集成MOSFET驱动器集成BOOST二极管，内部Rbst = 2.2 自动省电模式，最大限度地提高光效率负载运行同步功能远程地面传感这是一个无铅设备 应用 桌面和服务器系统 电路图、引脚图和封装图... 发表于 07-29 17:02 • 720次
NCP3030 同步PWM控制器 0是一款PWM器件，设计用于宽输入范围，能够产生低至0.6 V的输出电压.NCP3030提供集成栅极驱动器和内部设置的1.2 MHz（NCP3030A）或2.4 MHz（ NCP3030B）振荡器。 NCP3030还具有外部补偿跨导误差放大器，内置固定软启动。保护功能包括无损耗电流限制和短路保护，输出过压保护，输出欠压保护和输入欠压锁定。 NCP3030目前采用SOIC-8封装。 特性 优势 输入电压4.7 V至28 V 从不同输入电压源调节的能力 0.8 V +/- 1.5％参考电压 能够实现低输出电压 1200 kHz操作（NCP3020B - 2400 kHz） 高频操作允许使用小尺寸电感器和电容器 > 1A驱动能力 能够驱动低Rdson高效MOSFET 电流限制和短路保护 高级保护功能 输出过压和欠压检测 高级保护功能 具有外部补偿的跨导放大器 能够利用所有陶瓷输入和输出电容器 集成升压二极管 减少支持组件数量和成本 受管制的软启动 已结束软启动期间的环路调节可防止任何尖峰或下垂 AEC-Q100和PPAP兼容（NCV3030） 适用于汽车应用 应用 终端产品 ... 发表于 07-29 17:02 • 448次