前言：【核芯观察】是飞外编辑部出品的深度系列专栏，目的是用最直观的方式令读者尽快理解电子产业链，理清上、中、下游的各个环节，同时迅速了解各大细分环节中的行业现状。我们计划会对包括集成电路、分立器件、传感器、光电器件等半导体产业上下游进行梳理，眼下大家最为关注，也疑惑最多的是第三代半导体，所以这次就先对它来一个梳理分析。
一什么是第三代半导体 1第三代半导体概念 第三代半导体材料是以 SiC(碳化硅)、 GaN(氮化镓)为代表(还包括 ZnO 氧化锌、GaO 氧化镓等)的化合物半导体，属于宽禁带半导体材料。禁带宽度是半导体的一个重要特征。固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子或者空穴存在，自由电子存在的能带称为导带(能导电)，自由空穴存在的能带称为价带(亦能导电)。被束缚的电子要成为自由电子或者空穴，就必须获得足够能量从价带跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。 而更宽的禁带，意味着从不导通状态激发到导通状态需要的能量更大，因此采用宽禁带半导体材料制造的器件能够拥有更高的击穿电场、更高的耐压性能、更高的工作温度极限等等。第三代半导体与 Si(硅)、GaAs(砷化镓)等前两代半导体相比，在耐高压、耐高温、高频性能、高热导性等指标上具备很大优势，因此 SiC、GaN 被广泛用于功率器件、射频器件等领域。 SiC 与 GaN 相比，拥有更高的热导率，这使得在高功率应用中，SiC 占据统治地位;与此同时，GaN 相比 SiC拥有更高的电子迁移率，所以GaN具有高的开关速度，在高频应用中占有优势。 2第三代半导体发展历程 自上世纪80年代开始，以 SiC、GaN 为代表的第三代半导体材料的出现，催生了新型照明、显示、光生物等等新的应用需求和产业。其中SiC是目前技术、器件研发最为成熟的宽禁带半导体材料。 SiC的一个重要里程碑是1955年，飞利浦实验室的 Lely发明 SiC 的升华生长法(或物理气相传输法，即 PVT 法)，后来经过改进后的PVT 法成为 SiC 单晶制备的主要方法。这也是SiC作为重要电子材料的起点。 随着 6 英寸 SiC 单晶衬底和外延晶片的缺陷降低和质量提高，使得 SiC 器件制备能够在目前现有 6 英寸 SiC 基功率器件生长线上进行。而国际大厂纷纷布局的8英寸的 SiC衬底有望在2022年上半年，由 Wolfspeed 率先实现量产，这将进一步降低 SiC 材料和器件成本，推进 SiC 器件和模块的普及。 为了帮助下文理解，这里解释一下 SiC 衬底、晶圆、外延片的关系以及区别。SiC 衬底是由 SiC 单晶材料制造而成的晶圆片，衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件，也可以经过外延加工，即在衬底上生长一层新的单晶，形成外延片。新的单晶层可以是 SiC，也可以是其他材料(如GaN)。而晶圆可以指衬底、外延片、或是已加工完成芯片后但尚未切割的圆形薄片。 而 GaN 于1969 年首次实现了 GaN 单晶薄膜的制备，在20世纪90年代中期，中村修二研发了第一支高亮度的 GaN基蓝光 LED。随后的十多年时间里，GaN 分别在射频领域比如高电子迁移率晶体管(HEMT)和单片微波集成电路(MMIC)，以及功率半导体领域起到了重要作用。2010年，国际整流器公司(IR，已被英飞凌收购)发布了全球第一个商用GaN功率器件，正式拉开GaN在功率器件领域商业化大幕。2014 年以后，600V GaN HEMT 已经成为 GaN 器件主流。2014年，行业首次在 8 英寸 SiC 上生长 GaN 器件。 二SiC产业概念 1SiC市场规模：衬底、功率器件、射频器件 得益于材料特性的优势，SiC 在功率器件领域无疑会逐渐取代传统硅器件，成为市场主流。而这个进程随着 SiC 量产和技术成熟带来的成本下降，以及终端需求的升级而不断加速。包括新能源汽车电驱系统往 800V 高压平台发展、480kW 充电桩、光伏逆变器向高压发展等，技术升级的核心，预计 2021 年到 2030 年 SiC 市场年均复合增长率(CAGR)将高达50.6%，2030 年 SiC 市场规模将超 300 亿美元。 在材料端， 2020 年全球 SiC 衬底市场价值为 2.08 亿美元。对于市场未来的增长，Yole预计到 2024 年全球 SiC 衬底市场规模将达到11亿美元，2027年将达到33亿美元，以2018年市场规模1.21亿美元计算，2018-2027年的复合增长率预计为44%。 在应用端，2020年全球 SiC 功率器件市场规模为6.29亿美元，mordor intelligence 预计到2026年将达到 47.08 亿美元，2021-2026 的年复合增长率为 42.41%。其中由于电动汽车的爆发，汽车行业将是 SiC 功率器件的主要增长应用，而亚太地区会是增长最快的市场。亚太地区受到包括中国大陆、中国台湾、日本、韩国的驱动，这四个地区共占全球半导体分立器件市场的 65% 左右。在光伏逆变器上，SiC 渗透率也呈现高速增长，华为预计在2030年光伏逆变器的碳化硅渗透率将从目前的2%增长到70%以上，在充电基础设施、电动汽车领域渗透率也超过的80%，通信电源、服务器电源将全面推广应用。 另外，在射频 GaN行业，采用 SiC 衬底，也就是 GaN-on-SiC(碳化硅基氮化镓)技术发展得最早，市占率也最高，同时在射频应用领域已经成为LDMOS和砷化镓的主要竞争对手。除了在军用雷达领域的深度渗透，GaN-on-SiC 还一直是华为、诺基亚等通信基站厂商的5G大规模MIMO基础设施的选择。根据 Yole 的统计，2020 年全球 GaN-on-SiC 射频器件市场规模为8.86亿美元，预计 2026 年将达到 22.2 亿美元，2020-2026 年复合增长率为17%。 2SiC市场供需情况 尽管 SiC 无论在功率器件还是在射频应用上市场需求都有巨大增长空间，但目前对于 SiC 的应用，还面临着产能不足的问题，主要是 SiC 衬底产能跟不上需求的增长。据统计，2021年全球 SiC 晶圆全球产能约为 40-60 万片，结合业内良率平均约50%估算，2021 年 SiC 晶圆全球有效产能仅20-30万片。 与此同时，SiC 需求方的增长在近年呈现爆发式增长。以特斯拉为例，2021 年特斯拉电动汽车全年产量约 93 万辆，据测算，如果这些车辆搭载的功率器件全采用 SiC ，单车用量将达到 0.5 片6寸 SiC 晶圆，一年的6寸 SiC 晶圆需求就高达46.5万片，以如今全球 SiC 衬底产能来看甚至无法满足一家车企的需求。 与此同时，衬底又是整个 SiC 产业链中技术门槛最高、成本占比最大的环节，占市场总成本的50%左右。华为在《数字能源2030》白皮书中提到，SiC 的瓶颈当前主要在于衬底成本高(是硅的 4-5 倍，预计未来 2025 年前年价格会逐渐降为硅持平)，受新能源汽车、工业电源等应用的推动，碳化硅价格下降，性能和可靠性进一步提高。碳化硅产业链爆发的拐点临近，市场潜力将被充分挖掘。 但目前 SiC 产业仍处于产能铺设初期，2020年开始海内外大厂都纷纷加大投入到 SiC 产能建设中。国内仅 2021 年第一季度新增的 SiC 项目投资金额就已经超过 2020 年全年水平，是 2012-2019 年 SiC 领域合计总投资值的5倍以上。三安光电预测，2025年 SiC 晶圆需求在保守与乐观情形下分别为219和437万片，车用碳化硅需求占比60%，保守情况下碳化硅产能缺口将达到123万片，乐观情况下缺口将达到486万片。 3SiC产业主要运作模式 经过超过 60 年的发展，硅基半导体产业自台积电创始人张忠谋开创晶圆代工模式后，目前已经形成了高度垂直分工的产业运作模式。但与硅基半导体产业不同，SiC 产业目前来看，主要是以 IDM 模式为主。 SiC 产业目前以IDM模式为主的主要原因： 1) 设备相比硅晶圆制造较为便宜，产线资本投入门槛相对较低; 2) 受益于成熟的半导体工艺，SiC 器件设计相对不复杂; 3) 掌握上下游整合能力可以加速产品迭代周期，有效控制成本以及产品良率。 当前 SiC 市场中，全球几大主要龙头 Wolfspeed、罗姆、ST、英飞凌、安森美等都已经形成了 SiC 衬底、外延、设计、制造、封测的垂直供应体系。其中，除了 Wolfspeed 之外，其他厂商基本通过并购等方式来布局 SiC 衬底等原材料，以更好地把控上游供应。 同时，这种趋势也导致目前 SiC 产业中不仅仅是下游往上游布局，而上游厂商也同时在下游发展。SiC 产业可以说是“得衬底者得天下”，SiC 衬底厂商掌握着业内最重要的资源，这也为他们带来了极大的行业话语权。 国内方面，由于产业布局相比海外大厂要晚，而 IDM 模式是加速发展的最有效方式之一，包括三安光电、泰科天润、基本半导体等 SiC 领域公司都在往 IDM 模式发展。三安光电投资160亿元的湖南三安半导体基地在去年6月正式投产，这也是国内第一条、全球第三条 SiC 垂直整合产业链，提供从衬底、外延、晶圆代工、裸芯粒直至分立器件的灵活多元合作方式，有利于形成当地宽禁带半导体产业聚落，加速上游 IC 设计公司设计与验证迭代，缩短下游终端产品上市周期。 4SiC产业链结构 SiC 产业链可以分为四个主要环节，分别是衬底/晶片、外延片，器件制造以及终端应用。其中每个环节的具体构成会在后面几期中逐一解析。 下一期，带你了解SiC器件成本构成、产业链各环节构成，探讨国内外SiC产业链差距究竟有多大? 如果有想看到其他电子产业下细分行业梳理内容，欢迎在评论区留言，说不定下一期就是你想要的，记得关注我们! 原文标题：SiC得衬底者得天下?为何IDM模式能成为产业主流 文章出处：【微信公众号：飞外网】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。 审核编辑：汤梓红除了性能之外，可靠性和坚固性是SiC MOSFET讨论最多的话题。我们将坚固性定义为器件承受特定的特.... 科技绿洲 发表于 06-30 10:53 •
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NLU1G32 单路2输入或门 2 MiniGate™是一款先进的高速CMOS 2输入或门，占用空间极小。无论电源电压如何，当施加高达7.0伏的电压时，NLU1G32输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速：t PD = 3.7 ns（典型值）VCC = 5.0 V 低功耗：I CC =1μA（Max），TA = 25°C 断电保护提供输入 输入时提供断电保护 过压容差（OVT）输入和输出引脚 超小型无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图... 发表于 08-03 04:02 • 336次
NLSX4378A 电平转换器 4位 24 Mbps 双电源 78A是一款4位可配置双电源双向自动感应转换器，不需要方向控制引脚。 V CC I / O和V L I / O端口设计用于跟踪两个不同的电源轨，V CC 和V L 。 V CC 电源轨可配置为1.65V至5.5V，而V L 电源轨可配置为1.65V至5.5V。这允许V L 侧的电压逻辑信号在V CC 侧转换为更低，更高或相等值的电压逻辑信号，反之亦然。 NLSX4378A转换器在I / O线上集成了10K欧姆上拉电阻。集成的上拉电阻用于将I / O线上拉至V L 或V CC 。 NLSX4378非常适合开漏应用，例如I 2 C通信总线。 特性 优势 宽VCC工作范围：1.65V至5.5V 宽VL工作范围：1.65V至5.5V 允许连接多个电压系统 高速，24 Mb / s保证数据速率 最大限度地减少系统延迟 低位偏移 适合差异信号传输 小型包装 - 2.02 x 1.54mm uBump12 节省物理空间解决方案 应用 终端产 I2C，SMBus，PMBus 低压ASIC级别转换 手机，PDA，相机 电路图、引脚图和封装图... 发表于 08-03 04:02 • 503次
NLSX4401DFT2G 1位20 Mb / s双电源电平转换器 01是一款1位可配置双电源双向自适应传感转换器，不需要方向控制引脚.I / O VCC和I / O VL端口分别用于跟踪两个不同的电源轨，VCC和VL 。 VCC和VLsupply轨道均可配置为1.5 V至5.5 V.这样，VL侧的电压逻辑信号可在VCC侧转换为更低，更高的等值电压逻辑信号，反之亦然.NLSX4401转换器已集成I / O线上有10 k上拉电阻。集成的上拉电阻用于将I / O线上拉至VL或VCC。 NLSX4401非常适合开放式应用，如I2C通信总线。 特性 VL可以小于，大于或等于VCC 宽VCC工作范围：1.5 V至5.5 V 宽VL工作范围：1.5 V至5.5 V 高速，24 Mb / s保证日期速率 低位偏斜 启用输入和I / O引脚是过压容差（OVT）以使能输入和I / O引脚是过压容差（OVT）至5.5 V 非优先通电排序 断电保护 应用 终端产品 I2C，SMBus，PMBus 低压ASIC级别转换 手机，相机，消费品 电路图、引脚图和封装图... 发表于 08-03 04:02 • 192次
NLU1GT125 单个非反相缓冲器 3态 125 MiniGate™是一款先进的CMOS高速非反相缓冲器，占用空间极小。 NLU1GT125要求将3状态控制输入（）设置为高，以将输出置于高阻态。器件输入与TTL型输入阈值兼容，输出具有完整的5.0 V CMOS电平输出摆幅。无论电源电压如何，当施加高达7.0伏的电压时，NLU1GT125输入和输出结构都能提供保护。 特性 高速：t PD = 3.8 ns（典型值）V CC = 5.0 V 低功耗：I CC =1μA（Max），TA = 25°C TTL兼容输入：V IL = 0.8 V; V IH = 2.0 V 输入时提供断电保护 平衡传播延迟 超小无铅封装 应用 ASIC FixesSimplified PCB RoutingGlue LogicSystem IntegrationVoltage Translation 电路图、引脚图和封装图... 发表于 08-01 17:02 • 160次
FSA839 低压 带关断隔功能的0.8Ω单刀双掷（SPDT）模拟开关 是高性能的单刀双掷（SPDT）模拟开关，用于由低电压（1.8V）基带处理器或ASIC驱动的音频应用。该器件在V CC = 4.5 V时具有0.8Ω（最大值）的超低R ON ，可在1.65V到5.5V的宽V CC 范围内工作。该器件采用亚微米CMOS FSA839在低电压ASIC和常规的音频放大器之间连接，CODEC在高达5.5V的工作电压范围内运行。控制电路允许控制引脚（Sel）上提供1.8V（典型值）信号。 应用 多媒体平板电脑 存储和外设 手机 WLAN网卡和宽带接入 PMP / MP3播放器 电路图、引脚图和封装图... 发表于 08-01 01:02 • 259次
NXH240B120H3Q1 功率集成模块（PIM）3通道1200 V IGBT + SiC升压 80 A IGBT和20 A SiC二极管 B120H3Q1PG是一款3通道1200 V IGBT + SiC Boost模块。每个通道包括一个快速开关80 A IGBT，一个20 A SiC二极管，一个旁路二极管和一个IGBT保护二极管。该模块具有内置热敏电阻并具有压配销。 特性 优势 1200 V快速开关IGBT 降低IGBT的开关损耗可实现更高的fsw和更紧凑的设计 1200 SiC二极管 降低二极管的开关损耗可实现更高的fsw和更紧凑的设计 低Vf旁路二极管 提高旁路模式的效率 压合销 无焊接安装 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 分散式公用事业规模太阳能逆变器 商业串式逆变器 电路图、引脚图和封装图... 发表于 07-31 08:02 • 357次
NXH80B120H2Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 40 A IGBT + 1200 V 15 A SiC二极管 120H2Q0SG是一款功率集成模块（PIM），包含一个双升压级，由两个40A / 1200V IGBT，两个15A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格：VCE（SAT）= 2.2 V，ESW = 2180 uJ 具有低VCE（SAT）的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管，在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格：VF = 1.4 V 用于高速切换的SiC二极管 可焊接引脚 轻松安装 双升压40 A / 1200 V IGBT + SiC整流器混合模块 热敏电阻 应用 终端产品 太阳能逆变器升压阶段 太阳能逆变器 UPS 电路图、引脚图和封装图... 发表于 07-31 08:02 • 255次
NXH100B120H3Q0 功率集成模块 双升压 1200 V 50 A IGBT + 1200 V 20 A SiC二极管 B120H3Q0是一款功率集成模块（PIM），包含一个双升压级，由两个50A / 1200V IGBT，两个20A / 1200V SiC二极管和两个用于IGBT的25A / 1600V反并联二极管组成。另外还包括两个用于浪涌电流限制的25A / 1600V旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。 特性 优势 IGBT规格：VCE（SAT）= 1.77 V，ESW = 2200 uJ 具有低VCE（SAT）的快速IGBT以实现高效率 25 A / 1600 V旁路和反并联二极管 低VF旁路二极管，在旁路模式下具有出色的效率 SiC整流器规格：VF = 1.44 V 用于高速开关的SiC二极管 焊针和压合销选项 灵活安装 应用 终端产品 MPPT提升阶段 Bat tery Charger Boost Stage 太阳能逆变器 储能系统 电路图、引脚图和封装图... 发表于 07-31 07:02 • 247次
FPF2G120BF07AS 具有NTC的F2,3ch升压模块 一种快速，可靠的的安装方式。 特性 高效率 低传导损耗和开关损耗 高速场截止IGBT SiC SBD用作升压二极管 内置NTC可实现温度监控 电路图、引脚图和封装图 发表于 07-31 04:02 • 309次
NCP566 LDO稳压器 1.5 A 超高PSRR 具有快速瞬态响应 低压差（LDO）线性稳压器将在固定输出电压下提供1.5 A电流。快速环路响应和低压差使该稳压器非常适用于低电压和良好负载瞬态响应非常重要的应用。器件保护包括电流限制，短路保护和热关断。 NCP566采用SOT-223封装。 特性 超快速瞬态响应（ 发表于 07-30 08:02 • 207次
NCP3284 4.5V至18V 30A高效率 DC / DC转换器 采用耐热增强型5mm x 6mm封装 4是一款30A POL，适用于在小型电路板占板面积内要求高效率的应用。该器件将DC / DC控制器与两个高效mosfet集成在一个采用热增强型5mm x 6mm QFN封装的信号中。它采用获得专利的增强型斜坡脉冲调制控制架构，可提供超快的负载瞬变，从而减少外部电容和/或提供更好的瞬态容差。与传统的恒定时间控制器相比，新架构还改进了负载调节。 特性 优势 效率高 减少电力损失 快速装载瞬态 减少输出电容的数量 频率选择 优化效率和输出滤波器尺寸的权衡 0.6％准确参考 允许非常精确的输出电压 远程感知 提供准确的输出电压 启用输入和电力良好指标 二手用于控制排序 可调节电流限制 低电流设计的灵活性 可调节软启动 允许控制开启坡道 热增强型QFN封装 改善散热 指定-40C至125C 应用 终端产品 服务器 网络 电信 ASICs servere 存储 网络 电路图、引脚图和封装图... 发表于 07-30 04:02 • 637次
NCP3233 降压转换器工作电压范围为3V至21V 最高可达20A 3是一款20A降压转换器（内置MOSFET），工作电压范围为3V至21V，无需外部偏置。该固定式变频器具有高效率，可调节输出以提供低至0.6V的电压。可调电流限制允许器件用于多个电流水平。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装，高效电压模式同步降压转换器，工作电压为3 V至21 V，输出电压低至0.6 V，最高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围为3V至21V 允许同一器件用于3.3V，5V和12V母线 300kHz，500kHz和1MHz开关频率 用户可选择的选项，允许在效率和解决方案尺寸之间进行优化权衡 无损耗低侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 低压输出以适应低压核心 外部可编程软启动 降低浪涌电流并防止启动时出现无根据的过电流 预偏置启动 防止反向电流流动 所有故障的打嗝模式操作 如果故障情况消除，则允许重新启动 可调输出电压 灵活性 可调节电流限制 优化过流条件。允许较低饱和电流的较小电感器用于较低电流应用 输出过压保护和欠压电压保护 应用 终端产品 高电流POL应用 AS... 发表于 07-30 04:02 • 565次
NCP3231A 高电流同步降压转换器 1A是一款高电流，高效率电压模式同步降压转换器，工作电压为4.5 V至18 V，输出电压低至0.6 V，最高可达25 A. 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 500KHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低端FET电流检测 良好的散热性能 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出o电压和欠压保护 使用热敏电阻或传感器通过OTS引脚进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电源良好指示灯 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC，FPGA，DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图... 发表于 07-30 04:02 • 410次
NCP3231B 高电流 1MHz 同步降压转换器 1B是一款高电流，高效率电压模式同步降压转换器，工作电压为4.5 V至18 V，输出电压低至0.6 V，最高可达25 A. 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 1MHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低端FET电流检测 良好的散热性能 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出ove r电压和欠压保护 使用热敏电阻或传感器通过OTS引脚进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电源良好指示灯 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC，FPGA，DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图... 发表于 07-30 04:02 • 236次
NCP3231 高电流同步降压转换器 1是一款高电流，高效率电压模式同步降压转换器，工作电压为4.5 V至18 V，输出电压低至0.6 V，最高25 A DC负载或30 A瞬时负载。 特性 优势 宽输入电压范围4.5V至18V 支持广泛的应用 500KHz开关频率 需要小电感和少量输出电容 无损耗低 - 侧FET电流检测 提高效率 0.6V内部参考电压 外部可编程软启动 输出过压保护和欠压保护 使用热敏电阻或传感器进行系统过热保护 所有故障的打嗝模式操作 预偏置启动 可调节输出电压 电力良好输出 内部过热保护 应用 终端产品 采用6x6 QFN封装的25A稳压器 ASIC，FPGA，DSP和CPU内核及I / O电源 移动电话基站 电信和网络设备 服务器和存储系统 电路图、引脚图和封装图... 发表于 07-30 03:02 • 313次
NCP1592 同步降压稳压器 PWM 6.0 A 集成FET 2是一款低输入电压，6 A同步降压转换器，集成了30mΩ高侧和低侧MOSFET。 NCP1592专为空间敏感和高效应用而设计。主要特性包括：高性能电压误差放大器，欠压锁定电路，防止启动直到输入电压达到3 V，内部或外部可编程软启动电路，以限制浪涌电流，以及电源良好的输出监控信号。 NCP1592采用耐热增强型28引脚TSSOP封装。 特性 30mΩ，12 A峰值MOSFET开关，可在6 A连续输出源或接收器处实现高效率电流 可调节输出电压低至0.891 V，准确度为1.0％ 宽PWM频率：固定350 kHz，550 kHz或可调280 kHz至700 kHz 应用 终端产品 低压，高密度分布式电源系统 FPGA 微处理器 ASICs 便携式计算机/笔记本电脑 电路图、引脚图和封装图... 发表于 07-30 03:02 • 206次
NCP3230 DC / DC转换器 4.5 V至18 V 30 A. C转换器采用耐热增强型6mm x 6mm QFN封装，可提供高达30 A的电流。 特性 优势 效率高 降低功耗并减少散热问题 4.5 V至18 V输入范围 允许使用5 V或12 V母线进行操作 综合mosfets 简化设计并提高可靠性 可调节软启动时序，输出电压 设计灵活性 过压，欠压和过流保护 安全启动到预偏置输出 应用 终端产品 高电流POL应用 为asics，fpga和DSP供电 基站 服务器和存储 网络 电路图、引脚图和封装图... 发表于 07-30 03:02 • 259次
NCP3235 4.5 V至21 V 集成MOSFET的DC / DC转换器 5是一款带内部MOSFET的15 A DC / DC转换器，设计灵活。该器件可提供低至0.6V至输入电压80％以上的可调输出电压。功能包括可调电流限制，输出电压和软启动时序。引脚可选功能可实现550 kHz或1 MHz的开关频率，选择DCM / CCM工作模式，以及在过流期间锁定或打嗝模式的能力。该器件可配置为在超声模式下工作，以避开音频带。该器件采用耐热增强型6mm x 6mm TQFN封装。 特性 优势 准确0.6 V参考 可调输出以设置所需电压低至0.6 V DCM / CCM可选择选项 在不连续模式下操作以在轻负载下提高效率 550kHz / 1.1MHz开关频率 选择更高效率或更小输出滤波器的设计灵活性 超声波模式 保持电容器不发出声音 热增强型QFN封装 3个裸露焊盘散布更高 4.5 V至21 V的宽工作范围 允许跨多个应用程序使用 可调软启动 允许在通电期间平稳上升 应用 终端产品 计算/服务器 数据通信/网络 FGPA，ASIC，DSP电源 12 V负载点 桌面 服务器 网络 电路图、引脚图和封装图... 发表于 07-30 03:02 • 333次