众所周知，半导体是计算机，通信，电子产品等核心组成部分，半导体产业基本上就是现代IT产业的基础，半导体产业发展和国家科技水平线息息相关。据中国海关数据统计显示，2015年以来我国集成电路进口数量和进口额呈逐年上升趋势。2019年我国芯片的进口额为3050亿美元，较2018年进口额少了72亿美元，同比下降2.3%;2019年累计出口芯片金额为1016.5亿美元，同比增长20.1%;贸易逆差达到2033.60亿美元。
在美国限制华为等中国公司获取芯片的背景下，中国正在大力支持本国半导体产业发展。彭博社3日援引知情人士的话称，中国正在规划制定一套全面的新政策，以发展本国的半导体产业，应对美国政府的限制，而且赋予这项任务“如同当年制造原子弹一样”的高度优先权。
在全球经济发展一体化的情况下，科技大国之间的博弈极易对科技领域发展起到重大影响。而半导体产业是科技创新的先驱，在世界经济发展中占据越来越重要的地位。
一、中国十四五规划拟全面支持半导体产业
彭博社3日援引知情人士的话称，中国正在规划制定一套全面的新政策，以发展本国的半导体产业，应对美国政府的限制，而且赋予这项任务“如同当年制造原子弹一样”的高度优先权。报道援引不具名的知情人士消息称，北京正准备在到2025年的5年之内，对“第三代半导体”提供广泛支持。他们说，在中国“十四五”规划草案中增加了一系列措施，以加强该行业的研究、教育和融资。相对于传统的硅材料，第三代半导体以氮化镓、碳化硅、硒化锌等宽带半导体原料为主，更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件。
报道称，中国即将制订下一个五年计划，包括努力扩大国内消费，以及在国内制造关键技术产品。中国已承诺到2025年向无线网络到人工智能等技术领域投入约1.4万亿美元。半导体实际上是实现中国技术雄心的各个环节的根本，而日益激进的美国政府正威胁要切断对中国的供应。研究公司龙洲经讯的技术分析师王丹（音译）表示，“中国意识到半导体是所有先进技术的基础，该国不再能依赖美国的供应，面对美国对获取芯片加紧限制，中国的对策只能是继续推动自己的产业去发展。”据中国海关数据统计，2019年我国芯片的进口金额为3040亿美元，较去年同期减少80亿美元，同比下降2.6%。国务院发布的相关数据显示，中国芯片自给率2019年仅为30%左右。
近日， 国务院印发《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》强调，集成电路产业和软件产业是信息产业的核心，是引领新一轮科技革命和产业变革的关键力量。通信专家项立刚3日接受《环球时报》记者采访时表示，当前的国际环境已发生变化，美国不断利用其在全球芯片产业的优势地位对中国进行封堵，这也让全国上下意识到，对于芯片这种“卡脖子”的核心产业，必须要有主动权，不能再受制于人。中芯国际创始人兼原CEO张汝京日前则表示，5G领域常常会用到第三代半导体，中国在5G技术上保持领先，并在通信、人工智能、云端服务等领域超前发展，这些高科技的应用都将推动第三代半导体发展。
二、半导体产业升级已经开始
近些年来，华为海思、紫光展锐等半导体设计企业，中芯国际、华润微等半导体制造企业脱颖而出，为国内半导体产业结构带来了更加良好的生态占比，“设计、制造、封测”产业逐渐形成“4-3-3”的产业结构。其中，中芯国际在14纳米工艺进入客户风险量产阶段，可以贡献有意义的营收，第二代FinFET N+1技术平台已开始进入客户导入阶段，将与客户保持合作关系，把握5G、物联网、车用电子等产业发展机遇。
目前，我国在芯片设计领域已经取得诸多突破，芯片设计水平位列全球第二，根据中国半导体行业协会统计，2019年我国芯片设计行业销售额已突破3000亿元，占集成电路产业销售额的比重达40.51%。中国集成电路行业已经逐渐走向成熟，产业的发展也从技术驱动转变为应用拉动。半导体产业虽然仍有诸多不足之处，但作为全球最大的制造业基地，同时也是集成电路最大的应用市场，未来具有巨大的发展潜力，也能够发挥更大的作用。
随着物联网、大数据和人工智能驱动的新计算时代的发展，对半导体器件的需求日益增长，对器件可靠性与性能指标的要求也更加严苛。以碳化硅为代表的第三代半导体开始逐渐受到市场的重视，国际上已形成完整的覆盖材料，器件，模块和应用等环节的产业链，全球新一轮的产业升级已经开始。
三、美国实施制裁下国产替代步伐加快
中国半导体行业协会副理事长魏少军此前在世界半导体大会上表示，中国2020年芯片进口预计将连续第三年保持在3000亿美元以上。而根据国务院发布的相关数据显示，中国芯片自给率2019年仅为30%左右。中国芯片厂商广泛使用美国制造的芯片设计工具和专利，和一些欧美国家的制造技术。但随着中美关系的恶化，中国企业从海外采购零部件和芯片制造技术正面临越来越多的困难。
从最早的中兴禁令事件，到限制华为等公司获取芯片，再到中芯国际向荷兰ASML购买7nm EUV光刻机设备却迟迟难以交付。近日，更有消息传出，美国正考虑出台新规则全面限制半导体制造设备输向中国。这里面涵盖有半导体的基础制造设备，还有测试，实验的软件工具，包括硬件等技术的出口做出新的限制。
在美国实施制裁的背景下，中国也是是愈挫愈勇，对半导体产业发展的重要性已经有很清晰的认识，国内也正在大力支持本国半导体产业发展。近年来，国家为推动我国半导体产业的发展，先后出台了一系列政策推动我国半导体材料国产化进程，规划制定一套全面的新政策，以发展本国的半导体产业，应对限制。
本文由飞外综合报道，内容参考自环球时报、证券时报、第一财经等，转载请注明以上来源。
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LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器 LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计，这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM（AUTO模式）操作与自动相位增加/减少相结合，可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测（采用两相配置的差分），可补偿稳压器输出与负载点（POL）之间的IR压降，从而提高输出电压的精度。此外，可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步，从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序（包括与使能信号同步的GPO信号）。在启动和电压变化期间，器件会对出转换率进行控制，从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：器件温度 1 级：-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压：2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器：输出电压：0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远... 发表于 01-08 17:51 • 627次
TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器 TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作，同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗，高精度和低传播延迟的最佳组合（t p_HL =30μs典型值）。 当VDD上的电压低于负电压阈值（V IT - ）或手动复位拉低逻辑（V MR _L ）。当V DD 上升到V IT - 加滞后（V IT + ）和手动复位（ MR ）时，复位信号被清除）浮动或高于V MR _H ，复位时间延迟（t D ）到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位，CT引脚可以悬空。 附加功能：低上电复位电压（V POR ）， MR 和VDD的内置线路抗扰度保护，内置迟滞，低开漏输出漏电流（I LKG（OD））。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案，适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压：1.5 V至10 V 纳米电源电流：350 nA（典型值） 固定阈值电压（V IT - ） 阈值从1.6 V到4.9 V，步长为0.1 V 高精度：1％（典型值） 内置滞后（V IT + ） 1.6 V＆lt; V IT - ≤3.1V= 100mV（典... 发表于 01-08 17:51 • 1234次
INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器 INA240-SEP器件是一款电压输出，电流检测放大器，具有增强的PWM反射功能，能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V，与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作，适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制（PWM）信号的大型共模瞬变（ΔV/Δt）系统（如电机驱动和电磁阀控制系统）提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量，无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电，最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测，分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁（SEL）免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad（Si） TotalIonizing Dose（TID）RLAT至20krad（Si） 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用（-55°C至125°C）温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色... 发表于 01-08 17:51 • 662次
LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器 LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC，LM96000测量： 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP，2.5V，3.3 VSBY，5.0V和12V电源（内部定标电阻）。 为了设置风扇速度，LM96000有三个PWM输出，每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器，可调用该滤波器以平滑温度读数，从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入，用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP，2.5V，3.3 VSBY，5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式 Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ... 发表于 01-08 17:51 • 719次
LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器 LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量：（1）自身温度和（2）二极管连接的晶体管（如2N3904）或计算机处理器，图形处理器单元（GPU）和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器，用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制（PWM）开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数，查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数，通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入，功能的多功能，用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对... 发表于 01-08 17:51 • 1253次
AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器 AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器，能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造，可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗，自监控，超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案，可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺，可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX，4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统，其中包含TI的高性能C674x DSP，用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统，负责无线电配置，控制和校准。此外，该器件还包括一个用户可编程ARM R4F，用于汽车接口。硬件加速器模块（HWA）可以执行雷达处理，并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现（短，中，长），并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外，该设备作为完整的平台解决方案提供，包括参考硬件设计，软件驱动程序，示例配置，API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL，发送器，接收... 发表于 01-08 17:51 • 2705次
OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器 OPAx388（OPA388，OPA2388和OPA4388）系列高精度运算放大器是超低噪声，快速稳定，零漂移，零交叉器件，可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合，使OPAx388成为驱动高精度模数转换器（ADC）或缓冲高分辨率数模转换器（DAC）输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器（ADC）的过程中实现优异性能，不会降低线性度.OPA388（单通道版本）提供VSSOP-8，SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388（双通道版本）提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388（四通道版本）提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压：±0.25μV 零漂移：±0.005μV/°C 零交叉：140dB CMRR实际RRIO 低噪声：1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声：140nV PP （0.1Hz至10Hz） 快速稳定：2μs（1V至0.01％） 增益带宽：10MHz 单电源：2.5V至5.5V 双电源：±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰（ EMI）/射频干扰（RFI）的输入 行业标... 发表于 01-08 17:51 • 2242次
TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器 TLVx314-Q1系列单通道，双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗，通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出（RRIO）摆幅，低静态电流（5V时典型值为150μA），3MHz高带宽等特性，非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流，是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计，方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性，支持轨到轨输入和输出（RRIO），容性负载高达300PF，集成RF和EMI抑制滤波器，在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电（ESD）保护（4kV人体模型（HBM））。 此类器件经过优化，适合在1.8V（±0.9V）至5.5V（±2.75V）的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1（单通道）采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管（SOT）-23封装.TLV2314-Q1（双通道版本）采用8引脚小外形尺寸集成电路（SOIC）封装和超薄外形尺寸（VSSOP）封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸（TSSOP）封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具... 发表于 01-08 17:51 • 431次
DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关 DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作，可检测磁通密度，并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点（B OP ）阈值时，器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点（B RP ）阈值时，输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大，可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项（B OP ，B RP ）： DRV5021A1：2.9 mT，1.8 mT DRV5021A2：9.2 mT，7.0 mT DRV5021A3：17.9 mT，14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围：-40° C至+ 125°C 标准工业封装： 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关 Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V... 发表于 01-08 17:51 • 576次
TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器 TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围，推挽输出，轨到轨输入，低静态电流，关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用，如智能二极管控制器的反向电流保护，过流检测和过压保护电路，其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处，它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压，低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活，可以处理几乎任何应用，从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准，采用6引脚SOT-23封装，额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果： DeviceTemperature 1级：-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流：每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失... 发表于 01-08 17:51 • 610次
TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器 这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管，或者基板热晶体管/二极管，这些器件都是微处理器，模数转换器（ADC），数模转换器（DAC），微控制器或现场可编程门阵列（FPGA）中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度，分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议，以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消，可编程非理想性因子（η因子），可编程偏移，可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合，提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度，进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V，额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准：5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试，在50rad /s的高剂量率（HDR）下，可抵抗高达50krad（Si）的电离辐射总剂量（TID） 经测试，在10mrad /s的低剂量率（LDR）下，可抵抗高达100krad（Si）的电离辐射... 发表于 01-08 17:51 • 637次
LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器 LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核，配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM（自动模式）操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测，以补偿稳压器输出和负载点（POL）之间的IR压降，从而提高输出电压的精度。此外，开关时钟可以强制为PWM模式，也可以与外部时钟同步，以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量，无需增加外部电流检测电阻器。此外，LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号，以控制外部稳压器，负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间，器件控制输出压摆率，以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果： 设备温度等级1：-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压：2.8 V至5.5 V 输出电压：0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核： 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率... 发表于 01-08 17:51 • 1078次
TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器 TAS2562是一款数字输入D类音频放大器，经过优化，能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量，防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球，0.4 mm间距CSP封装，尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1％THD + N（3.6 V时4Ω） 5 W 1％THD + N（在3.6 V时为8Ω） 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1％THD + N（8Ω） 100dB PSRR，200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5％效率为1 W （8Ω，VBAT = 4.2V） ＆lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器，具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM：8通道（32位/96 kHz） I 2 C：4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点... 发表于 01-08 17:51 • 1111次
LM358B 双路运算放大器 LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本，包括两个高压（36V）操作放大器（运算放大器）。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值，具有低失调（300μV，典型值），共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性，3 mV（室温下最大）的低偏移电压和300μA（典型值）的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD（2 kV，HBM）和集成的EMI和RF滤波器，可用于最坚固，极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装，例如TSOT-8和WSON，以及行业标准封装，包括SOIC，TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围（B版） 供应 - 电流为300μA（B版，典型值） 1.2 MHz的单位增益带宽（B版） 普通 - 模式输入电压范围包括接地，使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV（A和B型号，最大值） 内部RF和EMI滤波器（B版） 在符合MIL-PRF-38535的产品上，除非另有说明，否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上，生产加工不一定包括所有参数的测试。 所... 发表于 01-08 17:51 • 1204次
LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器 LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核，这些内核可配置为1个四相输出，1个三相和1个单相输出，2个两相输出，1个两相和2个单相输出，或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制（PWM）到脉频调制（PFM）操作（ AUTO模式）与自动增相和切相相结合，可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测，可补偿稳压器输出与负载点（POL）之间的IR压降，从而提高输出电压的精度。此外，可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步，从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器，负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间，该器件会对输出压摆率进行控制，从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性： 器件温度1级：-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES... 发表于 01-08 17:51 • 655次
LM2902LV 行业标准、低电压放大器 LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器，烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能，并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性，并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC，VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压：±1mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽：1MHz的 低宽带噪声：40nV /√赫兹 低静态电流：90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号 严格的ESD规格：2kV HBM 扩展温度范围：-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器 Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V... 发表于 01-08 17:51 • 609次
LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器 LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核，这些内核可配置为1个四相输出，1个三相和1个单相输出，2个两相输出，1个两相和2个单相输出，或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制（PWM）到脉频调制（PFM）操作（ AUTO模式）与自动增相和切相相结合，可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测，可补偿稳压器输出与负载点（POL）之间的IR压降，从而提高输出电压的精度。此外，可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步，从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器，负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间，该器件会对输出压摆率进行控制，从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性： 器件温度1级：-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES... 发表于 01-08 17:51 • 611次