何种半导体会被惯之以“贵族”呢？它有什么神秘之处呢？他有什么特性呢，它的制备方法、产业链又是如何呢？它的终端应用产品市场分布怎么样呢？文章接下来会以砷化镓的材料属性优势、制备工艺流程、具体应用场景等等进行介绍，试希望梳理清楚关于砷化镓的部分问题。文章部分数据作者根据官方公布数据进行了一定程度上的基础处理，所有图片来源均已注明来源。此外，文章的公司排名与公司实力无关，不带有作者的主观观点，仅为一个介绍前后问题；同时，因作者资料有限，如有介绍不当之处，作者现在此表示歉意！望知悉。
砷化镓是什么？ 砷化镓(GaAs)作为第二代半导体其价格昂贵而素有“半导体贵族”之称。砷化镓是当代国际公认的继“硅”之后最成熟的化合物半导体材料，具有高频率、高电子迁移率、高输出功率、低噪音以及线性度良好等优越特性，是光电子和微电子工业最重要的支撑材料之一。以砷化镓为代表的第二代半导体，广泛应用于制造高频、高速、大功率、低噪声、耐高温、抗辐照等集成电路领域，已经发展成为现代电子信息产品”和“信息高速公路”关键技术，5G芯片市场非常好，产品供不应求。砷化镓(GaAs)是光电及手机网通高频通讯不可或缺的元件，近几年随着物联网(loT)、车联网及Al(人工智慧)应用激增，各国加速布建5G基础建设，加上苹果iPhoneX导入脸部辨识功能，带动砷化镓VCSEL及高阶通讯元件需求大增。面对砷化镓产业大商机，国内外砷化镓及光电厂无不倾全力抢进。以下为砷化镓材料与其他半导体材料的属性对比： 表一、砷化镓材料与其他半导体材料的属性对比 砷化镓可在一块芯片上同时处理光电数据，因而被广泛应用于遥控、手机、DVD计算机外设、照明等诸多光电子领域。另外，因其电子迁移率比硅高6倍，砷化镓成为超高速、超高频器件和集成电路的必需品。它还被广泛使用于军事领域，是激光制导导弹的重要材料，曾在海湾战争中大显神威，赢得“砷化镓打败钢铁”的美名。据悉，砷化镓单晶片的价格大约相当于同尺寸硅单晶片的20至30倍。尽管价格不菲，目前国际上砷化镓半导体的年销售额仍在10亿美元以上。在“十五”计划中，我国将实现该产品的产业化，以占据国际市场。 砷化镓的制造流程 砷化镓，作为化合物半导体的一种，其生产流程与大多数化合物半导体碳化硅、磷化铟等相似，都包括多晶合成、单晶生长后再经过切割、磨边、研磨、抛光、清洗等多道工艺后真空封装成品，其中多晶合成、单晶晶体生长是核心工艺。但是其也有自己的独特之处，文章将详细介绍单晶片以及衬底的特殊之处： 1.砷化镓单晶 砷化镓单晶砷化镓单晶的导带为双能谷结构，其最低能谷位于第一布里渊区中心，电子有效质量是0.068m0(m0为电子质量，见载流子)，次低能谷位于方向的L点，较最低能谷约高出0.29eV，其电子有效质量为0.55m0，价带顶约位于布里渊区中心，价带中轻空穴和重空穴的有效质量分别为0.082m0和0.45m0。较纯砷化镓晶体的电子和空穴迁移率分别为8000cm²/(V·s)和100～300cm²/(V·s)，少数载流子寿命为10-2～10-3μs。在其中掺入Ⅵ族元素Te、Se、S等或Ⅳ族元素Si，可获得N型半导体，掺入Ⅱ族元素Be、Zn等可制得P型半导体，掺入Cr或提高纯度可制成电阻率高达107～108Ω·cm的半绝缘材料。 制备GaAs单晶的方法有区熔法和液封直拉法。用扩散、离子注入、气相或液相外延及蒸发等方法可制成PN结、异质结、肖特基结和欧姆接触等。近十余年来，由于分子束外延和金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术的发展，可在GaAs单晶衬底上制备异质结和超晶格结构，已用这些结构制成了新型半导体器件如高电子迁移率晶体管(HEMT)、异质结双极型晶体管(HBT)及激光器等，为GaAs材料的应用开发了更广阔的前景。 2. 砷化镓外延材料 外延材料的制备采用气相沉积或液相沉积等方法，使镓、砷源或其衍生物在以砷化镓或其他材料为衬底的表面上生长砷化镓或其他材料的单晶薄膜，统称为砷化镓外延材料。衬底和外延层如由同一种材料构成的则称为同质结外延层，如由不同材料构成则称为异质结外延层。外延材料可以是单层结构，也可以是多层结构。砷化镓的外延材料的制备方法与大众化合物半导体相差无几，主要有气相外延法和液相外延法。气相外延法：通过气相输运和气相反应来实现薄膜生长的一种工艺过程。通常采用氯化物法和氢化物法生长砷化镓外延层，Ga-AsCl3-H2已成为氯化物法的代表工艺，其特点是易于实现高纯生长。1970年美国麻省理工学院华尔夫(Walf)得到砷化镓气相外延层的电子浓度和电子迁移率为n77k＝7×1013cm-3和μ77k＝2.1×105cm²/(V·s)；液相外延法：在一定温度下的砷化镓饱和溶液，通过降温使溶液过饱和，则在砷化镓衬底上按一定的晶向生长砷化镓薄膜。据1969年的报道结果是：77K时的电子浓度和电子迁移率为n77k＝7.6×1012cm-3、μ77k＝1.75×105cm²/(V·s)。 3. 综合而言 对于单晶制备的方法对比，目前砷化镓晶体主流生长工艺包括LEC法、HB法、VB法以及VGF法等，其中Sumitomo砷化镓单晶生产以VB法为主，Freiberger以VGF和LEC法为主，而北京通美则以VGF法为主。目前国内涉及砷化镓衬底业务的公司较少，除北京通美外，广东先导先进材料股份有限公司等公司在生产LED的砷化镓衬底方面已具备一定规模。 对于各种方法发的对比，文章有以下介绍：①在单晶直径上，目前 HB 法生长的单晶直径最大一般是 3 英寸，LEC 法生长的单晶直径最大可以到 12 英寸，但是使用 LEC 法生长单晶晶体设备投入成本高，且生长的晶体不均匀且位错密度大。目前 VGF 法和 VB 法生长的单晶直径最大可达8英寸，生长的晶体较为均匀且位错密度较低；②在单晶质量上，相较其他方法VGF法生长的晶体位错密度低且生产效率稳定；③在生产成本上，HB法的成本最低，LEC法的成本最高，VB法和VGF法生产的产品性能类似，但是VGF法取消了机械传动结构，能以更低成本稳定生产单晶。下图为国内某公司与国家砷化镓行业标准对比： 图一、国内某公司半绝缘砷化镓与国际先进水平的对比 全球竞争格局 砷化镓产业链上游为砷化镓晶体生长、衬底和外延片生产加工环节。衬底是外延层半导体材料生长的基础，在芯片中起到承载和固定的关键作用。生产砷化镓衬底的原材料包括金属镓、砷等，由于自然界不存在天然的砷化镓单晶，需要通过人工合成制备；砷化镓衬底生产设备主要涉及晶体生长炉、研磨机、抛光机、切割机、检测与测试设备等。砷化镓产业链下游应用主要涉及5G通信、新一代显示（Mini LED、Micro LED）、无人驾驶、人工智能、可穿戴设备等多个领域。 化合物半导体因为行业整体规模较小，非标准化程度高，以代工模式为主。欧美主导砷化镓产业链，中国台湾厂商垄断代工。日本的住友、德国的Freiberger和美国的AXT三家合计约占全球半绝缘型衬底90%的市场份额。受衬底尺寸限制，目前的生产线以4英寸和6英寸晶圆为主，部分企业也开始导入8英寸产线，但还没有形成主流。由于砷化镓是以Emitterbase-Collector垂直结构为主，晶体管数量只在百颗数量级；而硅晶圆是Source Gate Drain的平面设计，晶体管数量达到数千万数量级，所以砷化镓在制程研发上并没有像硅晶圆代工行业那样明显的优势。 4、6 英寸半绝缘砷化镓抛光片生产技术主要掌握在日本住友电工（Sumitomo Electric Industries）、德国费里伯格（Freiberger Compound Material）、美国 AXT 三个公司手中。这些公司的产品占据着砷化镓市场的绝大部分份额。砷化镓单晶生长技术也向成晶率高、成本低的VB/VGF单晶生长技术转移。至2015年，6英寸衬底已占据市场份额90%以上。销售的6英寸半绝缘砷化镓产品的电阻率从107Ω·cm覆盖到108Ω·cm，具有较高的晶体轴向和径向电阻率均匀性。抛光片的加工几何参数如TTV、Warp、LTV也很小。抛光片表面质量状态也优良，如颗粒少，表面进行钝化处理，产品的保存时间长。具体世界市场分布如下图： 图二、砷化镓材料世界市场分布 注：图片来源于北京通美招股书 砷化镓产业链 图三、砷化镓产业链 注：图片来源于北京通美招股书 全球砷化镓衬底市场集中度较高，根据Yole统计，2019年全球砷化镓衬底市场主要生产商包括Freiberger、Sumitomo和北京通美，其中Freiberger占比 28%、Sumitomo占比21%、北京通美占比13%。目前砷化镓晶体主流生长工艺包括LEC法、HB法、VB法以及VGF法等，其中Sumitomo砷化镓单晶生产以VB法为主，Freiberger以VGF和LEC法为主，而北京通美则以VGF法为主。目前国内涉及砷化镓衬底业务的公司较少，除北京通美外，广东先导先进材料股份有限公司等公司在生产LED的砷化镓衬底方面已具备一定规模。得益于下游应用市场需求持续旺盛，砷化镓衬底市场规模将持续扩大。根据Yole测算，2019年全球折合二英寸砷化镓衬底市场销量约为2,000万片，预计到2025年全球折合二英寸砷化镓衬底市场销量将超过3,500万片；2019年全球砷化镓衬底市场规模约为 2 亿美元，预计到 2025 年全球砷化镓衬底市场规模将达到 3.48 亿美元，2019-2025年复合增长率9.67%。 砷化镓的用途 砷化镓是当前主流的化合物半导体材料之一，其应用可以分为三个阶段。第一阶段自20世纪60年代起，砷化镓衬底开始应用于LED及太阳能电池，并在随后30年里主要应用于航天领域。第二阶段自20世纪90年代起，随着移动设备的普及，砷化镓衬底开始用于生产移动设备的射频器件中。第三阶段自2010年起，随着LED以及智能手机的普及，砷化镓衬底进入了规模化应用阶段，例如2017年，iPhone X首次引入了VCSEL用于面容识别，生产 VCSEL 需要使用砷化镓衬底，砷化镓衬底应用场景再次拓宽。2021年，随着Apple、Samsung、LG、TCL等厂商加入Mini LED市场，砷化镓衬底的市场需求将迎来爆发性增长。目前，砷化镓衬底主要应用下游器件包括射频器件、LED、激光器。 （一）砷化镓材质的射频器件应用介绍 射频器件是实现信号发送和接收的关键器件，射频器件主要包括功率放大器、射频开关、滤波器、数模/模数转换器等器件，其中，功率放大器是放大射频信号的器件，其直接决定移动终端和基站的无线通信距离和信号质量。由迁移率和高饱和电子速率的显著优势，砷化镓一直是制造射频功率放大器的主流衬底材料之一。4G时代起，4G基站建设及智能手机持续普及，用于制造智能手机射频器件的砷化镓衬底需求量开始上升。进入5G时代之后，5G通信对功率、频率、传输速度提出了更高的要求，使用砷化镓衬底制造的射频器件非常适合应用于长距离、长通信时间的高频电路中，因此，在5G时代的射频器件中，砷化镓的材料优势更加显著。随着5G基站建设的大量铺开，将对砷化镓衬底的需求带来新的增长动力；与此同时，单部5G手机所使用的射频器件数量将较4G手机大幅增加，也将带来对砷化镓衬底需求的增长。伴随5G通信技术的快速发展与不断推广，5G基站建设以及5G手机的推广将使砷化镓基射频器件稳步增长。 手机中射频（RF）器件的成本越来越高。一个4G全网通手机，前端RF套片的成本已达到8-10美元，含有10颗以上射频芯片，包括2-3颗PA、2-4颗开关、6-10颗滤波器。未来随着5G的到来，RF套片的成本很可能会超过手机主芯片。再加上物联网的爆发，势必会将射频器件的需求推向高潮。通常情况下，一部手机主板使用的射频芯片占整个线路面板的30%-40%。据悉，一部iPhone 7仅射频芯片的成本就高达24美元，有消息称苹果今年每部手机在射频芯片上的投入将历史性地超过30美元。随着智能手机迭代加快，射频芯片也将迎来一波高峰。 根据Yole预测，2025年全球射频器件砷化镓衬底（折合二英寸）市场销量将超过965.70万片，2019-2025年年均复合增长率为6.32%。2025年全球射频器件砷化镓衬底市场规模将超过9,800万美元，2019-2025年年均复合增长率为 5.03%。据YOLE数据分析，射频器件销售与市场规模预测如下： 图四、射频器件砷化镓衬底销量与市场规模预测 注：图片来源于北京通美招股书 （二）砷化镓材质的LED应用介绍 LED是由化合物半导体（砷化镓、氮化镓等）组成的固体发光器件，可将电能转化为光能。不同材料制成的 LED 会发出不同波长、不同颜色的光，LED 按照发光颜色可分为单色 LED、全彩 LED 和白光 LED 等类型。LED 根据芯片尺寸可以区分为常规 LED、Mini LED、Micro LED 等类型，其中常规 LED 主要应用于通用照明、户外大显示屏等，Mini LED、Micro LED 应用于新一代显示。Mini LED背光市场加速放量：在电视方面，2022年3月9日TCL发布三款Mini LED电视新品，并发布了新一代QD-Mini LED技术，除了TCL外，包括三星、索尼、LG等国际品牌，以及创维、小米、华为、海信等国产品牌，都持续研发并推出Mini LED背光电视。据LEDinside，2022年整体Mini LED背光电视出货量将挑战450万台，与2021年相比呈翻倍增长态势。在笔电方面，根据Omdia最新调研显示，2021年配备Mini LED背光的笔电面板出货量达到450万片，笔电渗透率激增至1.6%，2022年Mini LED笔电面板出货量预计为990万片，渗透率为3%。随着Mini LED技术不断成熟，良品率逐步提升，Mini LED背光成本正在每年下降15-20%，Mini LED已经成为了当代主流显示技术，渗透率有望加速提升。 Mini/Micro LED规模化应用主要为两个方向，一种是RGB直接显示，使用Mini/Micro LED可以实现更小尺寸更高分辨率的显示方案；另一种是使用Mini/Micro LED做为背光方案，应用于TV、车载、笔记本电脑、显示器等。其中，Mini LED背光技术能有效的提升液晶显示器在对比度和能耗方面的短板；同时，背靠全球最成熟、最具规模优势的液晶显示产业链，有望率先在消费市场得到大规模应用普及。“Mini LED直显对技术要求更高，而且主要是超大屏需求，价格处于高位，消费群体比较有限。MiniLED背光模组可以应用于电视、笔记本电脑、平板电脑、显示器等，在增加部分成本的基础上改善这些应用的显示效果，提升产品溢价空间，能更好地满足消费者需求。 随着LED照明普及率的不断提高，常规LED芯片及器件的价格不断走低。常规LED芯片尺寸为毫米级别，对砷化镓衬底的技术要求相对较低，属于砷化镓衬底的低端需求市场，产品附加值较低，该等市场主要被境内砷化镓衬底企业占据，市场竞争激烈；而新一代显示所使用的Mini LED 和 Micro LED芯片尺寸为亚毫米和微米级别，对砷化镓衬底的技术要求很高，市场主要被全球第一梯队厂商所占据。据YOLE数据分析，LED器件销售与市场规模预测如下： 图五、LED器件砷化镓衬底销量与市场规模预测 注：图片来源于北京通美招股书 根据 Yole 预测，Mini LED 及 Micro LED 器件砷化镓衬底的需求增长迅速，2025年全球 Mini LED 及 Micro LED 器件砷化镓衬底（折合二英寸）市场销量将从 2019年的 207.90 万片增长至 613.80 万片，年复合增长率为 19.77%；2019 年全球 Mini LED及 Micro LED 器件砷化镓衬底市场规模约为 1,700 万美元，预计到 2025 年全球砷化镓衬底市场规模将达到 7,000 万美元，年复合增长率为26.60%。 图六、1990—2030年LED增长预测图 注：图片来源于北京通美招股书 （三）砷化镓材质的激光器应用介绍 激光器是使用受激辐射方式产生可见光或不可见光的一种器件，构造复杂，技术壁垒较高，是由大量光学材料和元器件组成的综合系统。利用砷化镓电子迁移率高、光电性能好的特点，使用砷化镓衬底制造的红外激光器、传感器具备高功率密度、低能耗、抗高温、高发光效率、高击穿电压等特点，可用于人工智能、无人驾驶等应用领域。根据 Yole 预测，激光器是砷化镓衬底未来五年最大的应用增长点之一。预计到2025年，全球激光器砷化镓衬底（折合二英寸）的市场销量将从2019年的106.2万片增长至330.3万片，年复合增长率为20.82%；预计到2025年，全球激光器砷化镓衬底市场容量将达到 6,100 万美元，年复合增长率为 16.82%。据YOLE数据分析，激光器器件销售与市场规模预测如下： 图七、2019-2025 年全球激光器器件砷化镓衬底预计销量和市场规模 注：图片来源于北京通美招股书 在具体应用方面，未来五年激光器砷化镓衬底的需求增长主要由 VCSEL 的需求拉动。VCSEL是一种垂直于衬底面射出激光的半导体激光器，在应用场景中，常常在衬底多方向同时排列多个激光器，从而形成并行光源，用于面容识别和全身识别，目前已在智能手机中得到了广泛应用。 VCSEL作为3D传感技术的基础传感器，随着 5G 通信技术和人工智能技术的发展，同时受益于物联网传感技术的广泛应用，VCSEL 的市场规模不断增长，特别是以 VCSEL为发射源的 3D 立体照相机将会迎来高速发展期，3D 相机是一种能够记录立体信息并在图像中显示的照相机，可以记录物体纵向尺寸、纵向位置以及纵向移动轨迹等。此外，VCSEL作为 3D 传感器，在生物识别、智慧驾驶、机器人、飞外网居、智慧电视、智能安防、3D建模、人脸识别和VR/AR等新兴领域拥有广泛的应用前景。 根据Yole预测，随着3D传感技术在各领域的深度应用，VCSEL市场将持续快速发展，继而加大砷化镓衬底的需求。2019年，全球VCSEL器件砷化镓衬底（折合二英寸）销量约为93.89万片，预计到 2025年将增长至299.32万片，年复合增长率达到21.32%；2019年全球 VCSEL 器件砷化镓衬底衬底市场规模约为2,100万美元，预计到 2025 年全球砷化镓衬底市场规模将超过5,600万美元，年复合增长率为17.76%。据YOLE数据分析，VCSEL市场砷化镓器件销售与市场规模预测如下： 图八、VCSEL市场砷化镓器件销售与市场规模预测 注：图片来源于北京通美招股书 半导体激光行业，目前的企业还很少，一般涉猎半导体激光行业的公司都是始终专注于半导体激光芯片的研发、设计及制造，它们的部分产品包括高功率单管系列产品、高功率巴条系列产品、高效率VCSEL系列产品及光通信芯片系列产品等，逐步实现高功率半导体激光芯片的国产化。目前多家公司紧跟下游市场发展趋势，不断开发具有领先性的产品、创新优化生产制造工艺、布局建设生产线，已形成由半导体激光芯片、器件、模块及直接半导体激光器构成的四大类、多系列产品矩阵，为半导体激光行业的垂直产业链公司。其中VCSEL系列产品可广泛应用于光纤激光器、固体激光器及超快激光器等光泵浦激光器泵浦源、3D传感与摄像、人脸识别与生物传感等领域。 END 审核编辑 ：李倩为了实现以更高通道速率提供更强大链路的目标，JESD204C 中包含了 FEC 选项。该算法基于.... 星星科技指导员 发表于 06-30 11:09 •
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22纳米意味着集成电路集成度会更高，一个晶圆（wafer）上可以流出更多的芯片，意味着原材料成本的分.... 科技大小事 发表于 06-29 11:06 • 126次
电偶两端加上直流电压后，外电场迫使载荷体在回路中按一定的方向运动。金属和N型半导体中的载荷体是电子，.... 秦岭农民 发表于 06-29 11:00 •
在为物联网应用选择组件时，研究芯片和开发工具支持的 OTA 固件升级方法非常重要。在评估具有内部.... 星星科技指导员 发表于 06-29 10:58 •
中科院宣布2nm芯片是真的吗 随着硅基芯片逐渐逼近物理极限，摩尔定律迎来了瓶颈，现在全球已经迈向了5nm时代，等到3nm、2nm芯.... 发表于 06-29 10:57 • 555次
儿童智能口算数学宝/LCD液晶段码屏驱动芯片 产品型号：VK1072B VK1072C VK1072D 产品品牌：永嘉微电/VINKA 封装形式：.... 2671198128 发表于 06-29 10:54 •
我国在半导体行业一直都处于落后状态，不过近几年已经慢慢地开始追赶上来了，在半导体设备这方面，我国的上.... 汽车玩家 发表于 06-29 10:37 • 107次
在查看芯片面积时，智能手机和可穿戴设备中的小尺寸设计将明显受益于基于软件的基带实现所实现的芯片面.... 星星科技指导员 发表于 06-29 10:23 • 100次
韦尔股份采用华大九天Empyrean Polas®保障芯片设计可靠性 （2022年6月29日，北京）国内EDA领军企业北京华大九天科技股份有限公司近日宣布，全球排名前列的.... 发表于 06-29 10:17 • 156次
之前北斗星通所宣布的22nm定位芯片在业界引起了巨大的轰动，北斗星通的创始人周儒欣表示：这颗芯片应该.... 汽车玩家 发表于 06-29 10:11 •
无论是在战争或平常生活中，导航系统都在发挥着不可替代的作用，而一个国家拥有自主研发的导航系统的重要性.... 汽车玩家 发表于 06-29 09:58 •
求助，ch343p配置工具能否发一下 ch343p配置工具能否发一下，谢谢了。... 发表于 06-29 07:45 •
正确选择ADC，你需要知道这些！(附推荐型号) 模数转换器（ADC）经过30多年的发展，技术也经历了多次革新，在具体应用中如何选择一款合适的ADC芯片呢？今天我们将具体谈... 发表于 06-28 09:28 • 1236次
请问USB Type-C拓展坞方案用哪个芯片？ 方案介绍有Type-C的方案，没有对应的芯片介绍，请问该用哪种芯片？... 发表于 06-28 07:48 •
求助，求大佬分享CH9328模拟键盘键码表 CH9328设置模式0，发送数字2按键信息，显示输出数字2；设置为模式3，发送与上述同样的信息，显示输出为顿号、。请问：能否... 发表于 06-28 07:10 •
CH9328芯片如何确定版本信息，以及确认是否需要外接晶振？CH9328芯片如何确定版本信息，以及确认是否需要外接晶振；配置软件使用CH9326SetCfg.exe还是使用CH9328CfgToo... 发表于 06-28 06:24 •
如何确定CH9344L是否支持485收发控制脚TNOW？ 目前我司有一款产品用的CH9344，丝印为CH9344L，目前未使用CH9344的485收发控制脚，波特率上不去，先准备改版，有以下几个... 发表于 06-28 06:15 •
CH347T能在功能上兼容FT232HL吗？ CH347T芯片啥时候能有进一步资料放出来呀，能在功能上兼容FT232HL吗，目前官网就一个介绍性的说明文档，具体怎么使用这个... 发表于 06-28 06:15 •
max1978国产化 请问各位，谁知道这个芯片有什么国产化替代方案吗... 发表于 06-27 10:38 • 998次
IP5389 是一款集成 QC2.0 / QC3.0 / QC3+输出快充协议，AFC/FCP/ SCP/ VOOC 输入输出快充协议、USB... 发表于 06-24 19:57 • 7367次
STM805T/S/R STM805T/S/R3V主管 RST 输出 NVRAM监督员为外部LPSRAM 芯片使能选通（STM795只）用于外部LPSRAM（ 7 ns最大值丙延迟） 手册（按钮）复位输入 200毫秒（典型值）吨 REC 看门狗计时器 - 1.6秒（典型值） 自动电池切换 在STM690 /795分之704/804分之802/八百零六分之八百零五监督员是自载装置，其提供微处理器监控功能与能力的非挥发和写保护外部LPSRAM。精密电压基准和比较监视器在V 发表于 05-20 16:05 • 287次
FPF2290 过压保护负载开关 0具有低R ON 内部FET，工作电压范围为2.5 V至23 V.内部钳位电路能够分流±100 V的浪涌电压，保护下游元件并增强系统的稳健性。 FPF2290具有过压保护功能，可在输入电压超过OVP阈值时关断内部FET。 OVP阈值可通过逻辑选择引脚（OV1和OV2）选择。过温保护还可在130°C（典型值）下关断器件。 FPF2290采用完全“绿色”兼容的1.3mm×1.8mm晶圆级芯片级封装（WLCSP），带有背面层压板。 特性 电涌保护 带OV1和OV2逻辑输入的可选过压保护（OVP） 过温保护（OTP） 超低导通电阻，33mΩ 终端产品 移动 便携式媒体播放器 电路图、引脚图和封装图... 发表于 07-31 13:02 • 295次
FTL75939 可配置负载开关和复位定时器 39既可作为重置移动设备的计时器，又可作为先进负载管理器件，用于需要高度集成解决方案的应用。若移动设备关闭，保持/ SR0低电平（通过按下开启键）2.3 s±20％能够开启PMIC。作为一个重置计时器，FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出。断开PMIC与电池电源的连接400 ms±20％可生成7.5 s±20％的固定延迟。然后负荷开关再次打开，重新连接电池与PMIC，从而让PMIC按电源顺序进入。连接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚，可以自定义重置延迟。 特性 出厂已编程重置延迟：7.5 s 出厂已编程重置脉冲：400 ms 工厂自定义的导通时间：2.3 s 出厂自定义关断延迟：7.3 s 通过一个外部电阻实现可调重置延迟（任选） 低I CCT 节省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关，从而在发送和保存过程中保持电池电荷。准备使用右侧输出 输入电压工作范围：1.2 V至5.5 V 过压保护：允许输入引脚> V BAT 典型R ON ：21mΩ（典型值）（V BAT = 4.5 V时） 压摆率/浪涌控制，t R ：2.7 ms（典型值） 3.8 A /4.5 A最大连续电流（JEDEC ... 发表于 07-31 13:02 • 537次
NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq 4是一款350 mA LDO稳压器。其坚固性使NCV8774可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流（典型值低至18μA）使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时，模块保持活动模式时，此功能尤其重要。 NCV8774包含电流限制，热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2％输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制 AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节（特别是在汽车起动过程中）。 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性。 车身控制模块 仪器和群集 乘员... 发表于 07-30 19:02 • 275次
NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 4是一款精密5.0 V或12 V固定输出，低压差集成稳压器，输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗，结合低泄漏过程，可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0％，在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护，防止输入电源反转，输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项，输出精度为2.0％，在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间，因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图... 发表于 07-30 18:02 • 199次
NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出，低压差集成稳压器，输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗，结合低泄漏过程，可实现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0％，在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护，防止输入电源反向，输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264，NCV4264-2，NCV4264-2C引脚和功能兼容，当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求（最大100μA）。 极低压降600 mV（最大值）150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护： -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电压，输出电压精度为2％ AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐，无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图... 发表于 07-30 18:02 • 752次
NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA，非常适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压，可在±2％至150 mA负载电流范围内调节。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2％输出电压，最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储。 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制 AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节（特别是在汽车起动过程中）。 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度。... 发表于 07-30 18:02 • 224次
NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR 5是一款精密5.0 V固定输出，低压差集成稳压器，输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗，结合低泄漏过程，可实现30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容，当输出电流较低且需要非常低的静态电流时，它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0％，在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护，可防止45 V输入瞬变，输入电源反转，输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压，输出电压精度为2％（3.3 V和2.5 V可根据要求提供） 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流，负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护： -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图... 发表于 07-30 17:02 • 325次
NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq 4是一款精密5.0 V固定输出，低压差集成稳压器，输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗，结合低泄漏过程，可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0％，在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护，防止输入电源反转，输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容，当需要非常低的静态电流时，它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求（最大100μA）。 保护： -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压，2％输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐，无线电 电路图、引脚图和封装图... 发表于 07-30 17:02 • 479次
NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR 5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出，低压差集成稳压器，输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗，结合低泄漏过程，可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态，输入电源反转，输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容，当需要非常低的静态电流时，它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装，输出电压精确到±2.0％，对于DPAK-5封装，输出电压精确到±2.5％，在满额定负载电流下，最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压，输出电压精度为2％或2.5％ 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护： -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图... 发表于 07-30 16:02 • 377次
NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR 4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容，具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA，输出电压精度为+/- 2.0％。在100 mA负载电流下，最大压差为500 mV。它具有内部保护，可防止45 V输入瞬变，输入电源反转，输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流，负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护： - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压，输出电压精度为2％ AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图... 发表于 07-30 13:02 • 386次
NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR 4是一款宽输入范围，精密固定输出，低压差集成稳压器，满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0％，在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变，输入电源反转，输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0％输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护： -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图... 发表于 07-30 13:02 • 905次
NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR 4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA，输出电压精度为+/- 2.0％。在100 mA负载电流下，最大压差为500 mV。它具有内部保护，可防止45 V输入瞬变，输入电源反转，输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流，负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV（ max）100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护： -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压，输出电压精度为2％，在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图... 发表于 07-30 13:02 • 591次
NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq 2是350 mA LDO稳压器，集成了复位功能，专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流（典型值低至24μA）使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时，模块保持活动模式时，此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制，热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2％输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制 AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节（特别是在汽车起动过程中）。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过... 发表于 07-30 12:02 • 406次
NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq 0是350 mA LDO稳压器，集成了复位功能，专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流（典型值低至21μA）使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时，模块保持活动模式时，此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制，热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2％输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制 AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节（特别是在汽车起动过程中）。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E... 发表于 07-30 12:02 • 259次
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路 0系列是一种线性稳压器和监控电路，包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计，为设计人员提供了经济高效的解决方案，只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器，具有短路电流限制，固定输出2.6 V带隙基准，低电压复位比较器，带可编程迟滞的电源警告比较器，以及非专用比较器，非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装，可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图... 发表于 07-30 06:02 • 259次
FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC 80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压，一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装（WLCSP） 可编程输出电压 软启动（SS）浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器：1.2A，VIN范围： 2.5V至5.5V，VOUT范围：0.6V至3.3V 升压转换器：1.0A，VIN范围：2.5V至5.5V，VOUT范围：3.0V至5.7V 四个LDO：300mA，VIN范围：1.9V至5.5V，VOUT范围：0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图... 发表于 07-30 04:02 • 598次
NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车 1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器，具有高效率，1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行，包括升压，反激，正激，反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构，可实现出色的负载和线路调节，以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合，可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步，关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容，是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围：2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关：1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图... 发表于 07-30 00:02 • 428次
NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声 是一款线性稳压器，能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求，可提供低噪声，高PSRR，低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P，0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装（CSP），XDFN-4 0.65P，1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品： 发表于 07-29 21:02 • 609次
AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5 是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器，有源像素阵列为2592（H）x 1944（V）。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像，并包括复杂的相机功能，如分档，窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计，具有线路交错T1 / T2读出功能，可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰，锐利的数字图像，并且能够捕获连续视频和单帧，使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps，具有出色的视频性能 小型光学格式（1 / 2.5英寸） 1440p 16：9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环（PLL）振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口：♦HiSPi（SLVS） - 4个车道♦MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装... 发表于 07-29 16:02 • 1506次