MOS管功放具有鼓励功率小，输出功率大，输出漏极电流具有负温度系数，平安牢靠，且有工作频率高，偏置简单等优点。以运放的输出作为OCL的输入，到达抑止零点漂移的效果。

MOS晶体管金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SEMIconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管

MOS管封装说明(开关电源技术综述课题)-MOS管简介MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor)，即金属

MOS—FET场效应管的特性与 胆管十分相似 。故采用MOS—FET场效应管制作的功率放大器 ，同样具有浓郁的韵味 ，深受发烧友们的喜爱。

mos晶体管，金属-氧化物-半导体（Metal-Oxide-Semiconductor）结构的晶体管简称MOS晶体管，有MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路。

什么是MOS管？它有什么特点？在常见的控制器电路中，MOS管有几个工作状态，而MOS 主要损耗也对应这几个状态，本文就来探讨一下MOS的这些状态的原理。MOS的工作状态分为：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。

MOS管相比三极管来讲，具有更低的导通内阻，在驱动大功率的负载时，发热量就会小很多。MOS管的驱动与三极管有一个比较大的区别，MOS管是电压驱动型的元件，如果驱动电压达不到要求，MOS就会不完全导通，内阻变大而造成过热。

按功放管类型的不同，功放机可以分为电子管功放和晶体管功放。早在上世纪60年代以前，电子管功放就已经风靡全球，但在60年代到80年代，晶体管功放开始逐渐抬头，到了80年代电子管功放的数量已经非常少了，而到了现在，电子管功放的地位再次提供，已经成为国内外影音爱好者身份的象征。

在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似。那为什么有些电路用MOS管，而有些电路用IGBT管?

MOS管是金属 （metal） — 氧化物 （oxide） — 半导体 （semiconductor） 场效应晶体管，或者称是金属 — 绝缘体 （insulator） — 半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区

MOS管介绍在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大

MOS管是金属—氧化物-半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体—半导体。MOS管因导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，价格便宜等优点在电子行业深受人们的喜爱与追捧。但是一些厂商

本文首先介绍了电子管功放用什么管，其次阐述了电子管功放的好处，最后介绍了电子管功放的选择。

本文首先介绍了mos管的概念与mos管优势，其次介绍了MOS管结构原理图及mos管的三个极判定方法，最后介绍了MOS管（场效应管）的应用领域及它的降压电路。

MOS管开关电路是利用一种电路，是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。本文为大家带来三种pwm驱动mos管开关电路解析。

在完成MOS管芯片在制作之后，需要给MOS管芯片加上一个外壳，这就是MOS管封装。该封装外壳主要起着支撑、保护和冷却的作用，同时还可为芯片提供电气连接和隔离，从而将MOS管器件与其它元件构成完整

MOS管是电压控制器件，具有输入阻抗高、噪声低的优点，被广泛应用在电子电路中，特别是具有上述要求前级放大器显示器出越性。根据MOS管两大类型--结型MOS管和绝缘栅场效应管可构成相应的MOS管放大器。

本文开始介绍了MOS管概念和MOS管工作原理，其次介绍了MOS管的性能参数以及mos管三个引脚的区分方法，最后介绍了MOS管是如何快速判断与好坏及引脚性能的以及介绍了mos管的作用。

MOS管是电子制造的基本元件，但面对不同封装、不同特性、不同品牌的MOS管时，该如何抉择？有没有省心、省力的遴选方法？下面我们就来看一下老司机是如何做的。

MOS管的等效模型 我们通常看到的MOS管图形是左边这种，右边的称为MOS管的等效模型。

实际在MOS管生产的过程中衬底在出厂前就和源极连接，所以在符号的规则中，表示衬底的箭头也必须和源极相连接，以区别漏极和源极。图1-4-（c）是P沟道MOS管的符号。MOS管应用电压的极性和我们普通

mos管，做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，当然就是用它的开关作用。

MOS管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型MOS管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。