几天前，小米品牌正式推出全新的33W氮化镓充电器，该充电器采用Type-C接口，只需58分钟即可为Redmi K30至尊纪念版充满电，可媲美原装充电器。25日上午10点，小米GaN充电器33W正式开售，价格是79元。

随着更多智能手机开始支持快速充电技术，外设厂商们开始在充电器这个行业发力，陆续推出了一些体积小巧、充电功率高的产品。日前，紫米GaN 33W充电器MINI正式亮相，该产品号称拥有5W充电器的体积，但是能带来33W的快速充电能力。这款产品将于3月8日正式开售，它的原价是109元，现价79元。

dsPIC33FJ（06/16）GSXXX 到dsPIC33EPXXGS50X 的移植和性能增强指南》概述了从dsPIC33F“GS”器件移植到dsPIC33E“GS”器件的注意事项。

rimQuT的TGA2585是在TrimQuin公司生产的0.25M GaN SiC工艺（TQGAN25）上制造的S波段MMIC放大器，覆盖2.7～3.7GHz，TGA2585提供了饱和输出功率的W

GaN 功率器件广范应用于笔电快充领域，从33W 45W 65W 120W 140W 150W等等。由于GaN第三代半导体材料特性，在高达500 kHz的频率下工作，以改善变压器尺寸和功率密度。实现

来源｜与非网（ee-focus） GaN 为何这么火？ 如果再有人这么问你 最简单的回答即是： 因为我们离不开电源 并且不断追求更好的电源系统 当我们谈GaN时你在想什么？ GaN前世今生详解，请

Sub－6GHz频段的M－MIMO PA器件年复合增长率将达到135％，另外用于4G宏的GaN PA器件年复合增长率也将达到33％，用于4G／5G的小信号器件达到16％。

松下在GaN基板产品和Si基板产品方面试制了2.1mm×2.0mm测试芯片做了比较。Si基板产品的导通电阻为150mΩ，GaN基板产品的导通电阻为100mΩ。Qoss方面，Si基板产品为18.3nC

今天我们一起聊一聊GaN市场的产能情况。虽然近三年来，GaN的投资项目遍地开花，有很多在建项目，但真正能给市场提供产品的工厂并不多。

高功率密度、高效率和更宽的频率支持使基于 GaN 的解决方案成为适合许多射频应用的优良选择。嵌入式系统设计人员都知道，每一种材料都必须权衡利弊。在探讨最佳设计实践之前，有必要澄清关于 GaN 的一些

GaN（氮化镓）功率晶体管的全球领导者GaN Systems今天宣布，其低电流，大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。

Qorvo 是全球领先的GaN RF 供应商，自1999 年起就一直在推动GaN 研究和创新，提供经过检验的GaN电路可靠性和紧凑型、高效率产品。

GAN 自从被提出以来，就广受大家的关注，尤其是在计算机视觉领域引起了很大的反响。“深度解读：GAN模型及其在2016年度的进展”［1］一文对过去一年GAN的进展做了详细介绍，十分推荐学习GAN

尽管 GAN 领域的进步令人印象深刻，但其在应用过程中仍然存在一些困难。本文梳理了 GAN 在应用过程中存在的一些难题，并提出了最新的解决方法。

作者：马坤 （kuner0806@163.com） 随着中国芯GaN产品上市，引起了大家的关注，PD产品更是多姿多彩；纳微GaN产品和英诺赛科GaN产品有什么区别？本文我们就做一些比对；帮助

现在，GaN已被部署到机载电子战领域；未来，GaN将会越来越多的用于工作在毫米波频率的系统。

全志A33是一款处理器，本文介绍了全志A33基本参数与规格，介绍了全志a33的用途，最后对全志a33处理器进行了评测。

生成对抗网络GAN很强大，但也有很多造成GAN难以使用的缺陷。本文介绍了可以克服GAN训练缺点的一些解决方案，有助于提高GAN性能。

这篇 GAN 论文来自 NVIDIA Research，提出以一种渐进增大（progressive growing）的方式训练 GAN，通过使用逐渐增大的 GAN 网络（称为 PG-GAN）和精心

国外厂商主流的GaN快充主控芯片，其中安森美NCP1342解决方案被众多厂商使用。其实，除了国外的GaN控制芯片，国内的GaN控制芯片这几年发展得也不错，特别是今年突如其来的芯片缺货问题，更是加快了国产GaN控制芯片发展的步伐，不少之前使用国外控制芯片方案商和终端厂商开始切换到国内企业的产品。

我国GaN产品逐步从小批量研发、向规模化、商业化生产发展。GaN单晶衬底实现2-3英寸小批量产业化，4英寸已经实现样品生产。GaN异质外延衬底已经实现6英寸产业化，8英寸正在进行产品研发。 GaN材料应用范围仍LED向射频、功率器件不断扩展。

飞外网为你提供NXP(ti)MC33GD3100EK相关产品参数、数据手册，更有MC33GD3100EK的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，MC33GD3100EK真值表，MC33GD3100EK管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。

今年的GaN(氮化镓)器件市场异常活跃，GaN逐渐成为主流，开始渗透一些批量需求的商业市场。 GaN已经在大部分高功率军事应用中站稳了脚跟，并且还抓住了有线电视、移动基础设施的部分市场。

通过与 Exagan 的集成，ST 将拥有市场上最强大的 GaN IP 产品组合，因为我们将能够同时提供 E 模式和 D 模式 GaN 产品，从而为未来十年制定清晰的路线图。正如 ST GaN 业务部门经理 Roberto Crisafulli 所解释的那样。

功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花时间执行数个供货商所使用的成本缩减策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及更低成本的塑料封装。对于电源设计人员来说，理解GaN有可能带来的性能提升，以及某些会随时间影响到最终产品性能的退化机制很重要。

飞外网为你提供NXP(ti)MC33HB2002ES相关产品参数、数据手册，更有MC33HB2002ES的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，MC33HB2002ES真值表，MC33HB2002ES管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。